onsemi SS8050DTA
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EOL
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1999-01-01
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 1 day ago)
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 day ago)
Descriptions
Descriptions de onsemi SS8050DTA fournies par ses distributeurs.
Bipolar Transistor BJT NPN Epitaxial Silicon 25V 1500mA 100MHz 1W TO-92-3
Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
SS8050 Series 25 V 1.5 A Through Hole NPN Epitaxial Silicon Transistor - TO-92.3
Trans GP BJT NPN 25V 1.5A 1000mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 25V, TO-92-3
TO-92-3L Bipolar Transistors - BJT ROHS
TRANSISTOR, NPN, 25V, 1.5A; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 25V; Transition Frequency ft: -; Power Dissipation Pd: 1W; DC Collector Current: 1.5A; DC Current Gain hFE: 40hFE; Transistor Case Style
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-92
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight240 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)40 V
Collector Emitter Breakdown Voltage25 V
Collector Emitter Saturation Voltage500 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)25 V
Current Rating1.5 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
Frequency100 MHz
Gain Bandwidth Product100 MHz
hFE Min160
Max Breakdown Voltage25 V
Max Collector Current1.5 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation1 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency190 MHz
Voltage Rating (DC)25 V
Dimensions
Height4.58 mm
Length4.58 mm
Width3.86 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité