onsemi SS8050DBU
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-01-01
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 4 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 4 days ago)
Pièces détachées
onsemiKSD471ACYBU
Transistor, bjt, npn,30V V(Br)Ceo,1A I(C),to-92 Rohs Compliant: Yes |Onsemi KSD471ACYBU
Descriptions
Descriptions de onsemi SS8050DBU fournies par ses distributeurs.
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 25 V, 100 MHz, 1 W, 1.5 A, 160
Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
SS8050 Series NPN 1 W 25 V 1.5 A Through Hole Epitaxial Transistor - TO-92
Trans GP BJT NPN 25V 1.5A 1000mW 3-Pin TO-92 Bag
3 Lead Plastic Package NPN General Purpose Amplifier 40 Volt 1.5 Amp
500mV@80mA,800mA NPN 1W 6V 100nA 40V 25V 1.5A TO-92-3 TH 5.33mm H
Bipolar Transistors - BJT NPN/40V/1.5A
25V 1W 1.5A 160@100mA1V 100MHz 500mV@800mA80mA NPN +150¡Í@(Tj) TO-92-3L Bipolar Transistors - BJT ROHS
TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 25V, TO-226AA-3; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 25V; Transition Frequency ft: 100MHz; Power Dissipation Pd: 1W; DC Collector Current: 1.5A; DC Current Gain hFE: 160hFE; Tr
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-92
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight179 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)40 V
Collector Emitter Breakdown Voltage25 V
Collector Emitter Saturation Voltage500 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)25 V
Current Rating1.5 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
Frequency100 MHz
Gain Bandwidth Product100 MHz
hFE Min160
Max Collector Current1.5 A
Max Frequency100 MHz
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
Output Power2 W
PackagingBulk
PolarityNPN
Power Dissipation1 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency190 MHz
Voltage Rating (DC)25 V
Dimensions
Height5.33 mm
Length4.58 mm
Width3.86 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Déclarations de conformité