onsemi SMP3003-DL-1E
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginSouth Korea
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-05-28
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
LTB Date2021-07-05
LTD Date2022-07-05
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Pièces détachées
VishaySQM120P06-07L_GE3
MOSFET P-CH 60V 120A TO263 / Trans MOSFET P-CH 60V 120A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK
InfineonIPB029N06N3GATMA1
OptiMOS™3 Power-Transistor Features Ideal for high frequency switching and sync. rec.
Descriptions
Descriptions de onsemi SMP3003-DL-1E fournies par ses distributeurs.
SMP3003-DL-1E P-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 100 A, 75 V, 2+TAB-PIN TO-263
P-Channel Power MOSFET -75V, -100A, 8mΩ
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 75V, 0.011ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFET, P-CH, -75V, -100A, TO-263-3; Transistor Polarity: P Channel; Continuous Drain Current Id: -100A; Drain Source Voltage Vds: -75V; On Resistance Rds(on): 0.0062ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: -10V; Threshold Voltage Vgs: -; Power Dissipation Pd: 90W; Transistor Case Style: TO-263; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: Lead (27-Jun-2018)
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-263
Number of Pins2
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)100 A
Drain to Source Breakdown Voltage-75 V
Drain to Source Resistance11 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)75 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time820 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance13.4 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation90 W
Min Breakdown Voltage75 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation90 W
Rds On Max8 mΩ
Rise Time1 µs
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time800 ns
Turn-On Delay Time95 ns
Dimensions
Height4.5 mm
Length10 mm
Width9.2 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité