onsemi SGL50N60RUFDTU
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2002-05-20
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 3 days ago)
LTB Date2022-01-08
LTD Date2022-07-08
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 3 days ago)
Pièces détachées
onsemiFGL60N100BNTD
IGBT 1000V 60A 180W TO264 / Trans IGBT Chip N-CH 1000V 60A 180000mW 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
onsemiFGL40N120ANDTU
1200V NPT IGBT Insulated Gate Bipolar Transistor, 64A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-264AA
Descriptions
Descriptions de onsemi SGL50N60RUFDTU fournies par ses distributeurs.
SGL50N60RUFD Series 600 V 80 A Flange Mount Short Circuit Rated IGBT -TO-264
SINGLE IGBT, 600V, 80A; Transistor Type:; SINGLE IGBT, 600V, 80A; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:80A; Collector Emitter Voltage Vces:600V; Power Dissipation Pd:250W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C
Fairchild’s RUFD series of Insulated Gate Bipolar Transistors(IGBTs) provide low conduction and switching losses as well as short circuit ruggedness. The RUFD series is designed for applications such as motor control, uninterrupted power supplies (UPS) and general inverters where short circuit ruggedness is a required feature.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-264-3
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight6.756 g
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage600 V
Collector Emitter Saturation Voltage2.5 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)600 V
Continuous Collector Current80 A
Current Rating40 A
Element ConfigurationSingle
Fall Time160 ns
Max Collector Current80 A
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation250 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation250 W
Reverse Recovery Time70 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time66 ns
Turn-On Delay Time26 ns
Voltage Rating (DC)100 V
Dimensions
Height29 mm
Length20 mm
Width5 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité