onsemi SBC846BDW1T1G
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Production
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Future Electronics | SBC846BDW1T1G | 1 011 000 | 3K | Tape & Reel | ||||||||
| Avnet | SBC846BDW1T1G | 3 000 | 3K | 1d | ||||||||
| Newark | SBC846BDW1T1G | 14 255 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| Rochester Electronics | SBC846BDW1T1G | 205 | 42m | |||||||||
| DigiKey | SBC846BDW1T1GOSCT-ND | 5 363 | 1 | Cut Tape |
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| SOURCE | ECAD | MCAD | FICHIERS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SymboleEmpreinte | 3D | Télécharger |
 EE Concierge | SymboleEmpreinte | ||
 SnapEDA | SymboleEmpreinte | 3D | Télécharger |
 Ultra Librarian | SymboleEmpreinte | Télécharger |
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-02-28
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Pièces détachées
onsemiBC846BDW1T1G
Bipolar Transistors (BJT); BC846BDW1T1G; ON SEMICONDUCTOR; NPN; 6; 65 V; 100 mA
onsemiBC846BPDW1T1G
Bipolar Transistor Array, Complementary NPN and PNP, 65 V, 65 V, 100 mA, 100 mA, 380 mW
onsemiSBC846BPDW1T1G
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon
Descriptions
Descriptions de onsemi SBC846BDW1T1G fournies par ses distributeurs.
Bipolar Transistors (BJT); SBC846BDW1T1G; ON SEMICONDUCTOR; NPN; 6; 65 V; 100 mA
65V 380mW 200@2mA,5V 100mA 2 NPN SOT-363-6(SC-70-6) Bipolar Transistors - BJT ROHS
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon
SBC846BDW1T1G Series 65 V 100 mA NPN Dual General Purpose Transistor - SOT-363
Bipolar Transistor Array, Dual NPN, 65 V, 100 mA, 380 mW
600mV@ 5mA,100mA 2 NPN (Dual) 380mW 6V 15nA 80V 65V 100mA SOT-363 2mm*1.25mm*1.1mm
Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 380mW Automotive 6-Pin SC-88 T/R
TRANS, AUTO, NPN, 65V, 0.1A, SOT-363; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:65V; Power Dissipation Pd:380mW; DC Collector Current:100mA; DC Current Gain hFE:200hFE; Transistor Case Style:SOT-363; No
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOT-363-6
Number of Pins6
Number of Terminals6
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)80 V
Collector Emitter Breakdown Voltage65 V
Collector Emitter Saturation Voltage600 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)65 V
Element ConfigurationDual
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
Frequency100 MHz
Gain Bandwidth Product100 MHz
hFE Min200
Max Breakdown Voltage65 V
Max Collector Current100 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation380 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements2
PackagingTape and Reel
PolarityNPN
Power Dissipation380 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency100 MHz
Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité