onsemi PZT751T1G
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Pièces de rechange
Ce composant
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Stock
3,497,210
867,165
Authorized Distributors
6
2
Mount
-
-
Case/Package
SOT-223-4
SOT-223-4
Polarity
PNP
PNP
Collector Emitter Breakdown Voltage
60 V
60 V
Max Collector Current
2 A
2 A
Transition Frequency
75 MHz
75 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
500 mV
500 mV
hFE Min
40
40
Power Dissipation
800 mW
800 mW
Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2001-03-13
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Pièces détachées
onsemiPZT2907AT3G
PZT Series 60 V 600 mA Surface Mount PNP Silicon Epitaxial Transistor - SOT-223
onsemiPZT2907AT1G
Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, PNP, 60 V, 600 mA, 1.5 W, SOT-223, Surface Mount
Descriptions
Descriptions de onsemi PZT751T1G fournies par ses distributeurs.
Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, PNP, 60 V, 2 A, 800 mW, SOT-223, Surface Mount
Bipolar Transistors (BJT); PZT751T1G; ON SEMICONDUCTOR; PNP; 4; 60 V; 2 A
PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTOR Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-261AA
PZT Series 60 V 2 A SMT PNP Silicon Planar Epitaxial Transistor -SOT-223
High Current PNP Bipolar Transistor
Trans GP BJT PNP 60V 2A 800mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
TRANSISTOR BIPOLAR PNP 60V 2A SOT-223
General Purpose Transistors PNP Ic=2A Vceo=60V hfe=40 P=800mW SOT223
Bipolar Transistors - BJT 2A 80V PNP
2000 mA 60 V PNP Si SMALL SIGNAL TRANSISTOR TO-261AA
This PNP Silicon Epitaxial transistor is designed for use in industrial and consumer applications. The device is housed in the SOT-223 package which is designed for medium power surface mount applications.
BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -60V; TRANSISTO; BIPOLAR TRANSISTOR, PNP, -60V; Transistor Polarity: PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 60V; Transition Frequency ft: 75MHz; Power Dissipation Pd: 800mW; DC Collector Current: -2
Batteries Rechargeable (Secondary) Lithium 6.5mAh Not Applicable Requires Holder 3V MS920T 0.37Dia x 0.08 H 9.5mmx2.1mm 0.45g 25μA BATT LITH 3V 6.5MAH COIN 9.5MM
Bipolar Transistor, Pnp, -60V, Full Reel; Transistor Polarity:Pnp; Collector Emitter Voltage Max:60V; Continuous Collector Current:2A; Power Dissipation:800Mw; Transistor Mounting:Surface Mount; No. Of Pins:4Pins; Product Range:- Rohs Compliant: Yes |Onsemi PZT751T1G.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOT-223-4
Contact PlatingTin
Number of Pins4
Number of Terminals4
Weight4.535924 g
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)80 V
Collector Emitter Breakdown Voltage60 V
Collector Emitter Saturation Voltage500 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)60 V
Current Rating2 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency75 MHz
Gain Bandwidth Product75 MHz
hFE Min40
Max Breakdown Voltage60 V
Max Collector Current2 A
Max Frequency75 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation800 mW
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
PolarityPNP
Power Dissipation800 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency75 MHz
Voltage Rating (DC)-60 V
Dimensions
Height1.57 mm
Length6.5 mm
Width3.5 mm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité