onsemi NZT660A
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1999-10-27
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Descriptions
Descriptions de onsemi NZT660A fournies par ses distributeurs.
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin
Trans GP BJT PNP 60V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R / TRANS PNP 60V 3A SOT223
TRANSISTOR,BJT,PNP,60V V(BR)CEO,3A I(C),SOT-223
NZT660A Series 2 W 60 V Surface Mount PNP General Purpose Amplifier - SOT-223
500mV@ 300mA,3A PNP 2W 5V 100nA 60V 60V 3A SOT-223-4 6.5mm*3.5mm*1.8mm
60V 2W 3A 250@500mA2V 75MHz PNP 500mV@3A300mA -55¡Í~+150¡Í@(Tj) SOT-223 Bipolar Transistors - BJT ROHS
These devices are designed with high current gain and low saturation voltage with collector currents up to 3 A continuous.
TRANSISTOR, BIPOL, PNP, -60V, SOT-223-3; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-60V; Transition Frequency ft:75MHz; Power Dissipation Pd:2W; DC Collector Current:-3A; DC Current Gain hFE:25hFE; Tran
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOT-223-4
MountSurface Mount
Number of Terminals4
Weight188 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)-60 V
Collector Emitter Breakdown Voltage-60 V
Collector Emitter Saturation Voltage-1.25 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)60 V
Current Rating-3 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)-5 V
Frequency75 MHz
Gain Bandwidth Product75 MHz
hFE Min250
Max Breakdown Voltage60 V
Max Collector Current3 A
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel
PolarityPNP
Power Dissipation2 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency75 MHz
Voltage Rating (DC)-60 V
Dimensions
Height1.8 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité