onsemi NZT660
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1999-10-27
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Pièces détachées
Diodes Inc.DSS60600MZ4-13
Power Bipolar Transistor, 6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin
Descriptions
Descriptions de onsemi NZT660 fournies par ses distributeurs.
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin
Trans GP BJT PNP 60V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
These devices are designed with high current gain and low saturation voltage with collector currents up to 3 A continuous.
TRANSISTOR, PNP SOT-223TRANSISTOR, PNP SOT-223; Transistor type:Low Saturation; Transistor polarity:PNP; Case style:SOT-223; Voltage, Vceo:60V; Current, Ic max:3mA; Power, Ptot:2W; hfe, min:100; Current, Ic hFE:0.5A; Voltage, RoHS Compliant: Yes
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOT-223
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins4
Number of Terminals4
Weight188 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)-80 V
Collector Emitter Breakdown Voltage-60 V
Collector Emitter Saturation Voltage-550 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)60 V
Current Rating-3 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)-5 V
Frequency75 MHz
Gain Bandwidth Product75 MHz
hFE Min100
Max Breakdown Voltage60 V
Max Collector Current3 A
Max Frequency100 MHz
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingCut Tape
PolarityPNP
Power Dissipation2 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency75 MHz
Voltage Rating (DC)-60 V
Dimensions
Height1.8 mm
Length6.7 mm
Width3.7 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité