onsemi NVMTS1D5N08H
$ 3.342
Production
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | NVMTS1D5N08H | 1 850 | 194 | 4d | ||||||||
| DigiKey | 488-NVMTS1D5N08HCT-ND | 1 091 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Flip Electronics | NVMTS1D5N08H | 1 850 | 13h | |||||||||
| Newark | NVMTS1D5N08H | 0 | 3K | |||||||||
| Onlinecomponents.com | NVMTS1D5N08H | 0 | 750 | Bulk |
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Modèles CAO
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0 composant disponible
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| SOURCE | ECAD | MCAD | FICHIERS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SymboleEmpreinte | 3D | Télécharger |
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Chaîne d'approvisionnement
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Descriptions
Descriptions de onsemi NVMTS1D5N08H fournies par ses distributeurs.
5W(Ta),258W(Tc) 4V@ 490¦ÌA 125nC@ 10 V 1N 80V 1.4m¦¸@ 90A,10V 38A,273A 8.22nF@40V DFNW-8
Trans MOSFET N-CH 80V 38A 8-Pin DFNW EP T/R Automotive AEC-Q101
MOSFET T8-80V IN PQFN88 FOR AUTOMOTIVE
Power Field-Effect Transistor, 273A I(D), 80V, 0.0014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET N-CH 80V 38A/273A 8DFNW
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Modèles CAO
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Pièces de rechange
0 composant disponible
Spécifications techniques
Physical
Number of Terminals5
Technical
Continuous Drain Current (ID)273 A
Drain to Source Breakdown Voltage80 V
Drain to Source Resistance1.4 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)80 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation258 W
Min Breakdown Voltage80 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation5 W
Turn-Off Delay Time100 ns
Turn-On Delay Time33 ns
Dimensions
Height1.2 mm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité