onsemi NVD5C454NT4G
$ 1.137
Production
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | NVD5C454NT4G | 5 000 | 863 | 2d | ||||||||
| Rochester Electronics | NVD5C454NT4G | 878 | 21h | |||||||||
| Verical | NVD5C454NT4G | 878 | 257 | |||||||||
| DigiKey | NVD5C454NT4GOSCT-ND | 2 368 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Flip Electronics | NVD5C454NT4G | 5 000 | 1d |
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| SOURCE | ECAD | MCAD | FICHIERS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SymboleEmpreinte | 3D | Télécharger |
 SnapEDA | Empreinte | Télécharger |
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginVietnam
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2017-12-11
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Descriptions
Descriptions de onsemi NVD5C454NT4G fournies par ses distributeurs.
Single N-Channel Power MOSFET, 40V, 83A, 4.2mΩ DPAK 2500 tape and reel
Trans MOSFET N-CH 40V 19A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Transistor MOSFET N-CH 40V 82A 3-Pin TO-252 T/R
Avnet Japan
MOSFET N-CH 40V 19A/82A DPAK / N-Channel 40 V 19A (Ta), 82A (Tc) 3.1W (Ta), 56W (Tc) Surface Mount DPAK
Power Field-Effect Transistor, 82A I(D), 40V, 0.0042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
40V 82A 3.6m´Î@10V40A 56W 4V@70uA 48pF@25V N Channel 1.9nF@25V 32nC@10V -55¡Í~+175¡Í@(Tj) DPAK MOSFETs ROHS
onsemi NMOS, Vds=40 V, 83 A, DPAK (TO-252), , 3
Mosfet, Aec-Q101, N-Ch, 40V, To-252; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:82A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(On):0.0036Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Power Rohs Compliant: Yes |Onsemi NVD5C454NT4G
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageDPAK
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)82 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance4.2 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation56 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation3.1 W
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time24 ns
Turn-On Delay Time11 ns
Dimensions
Height2.51 mm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité