onsemi NTMFS4935NT1G

Name: onsemi NTMFS4935NT1G
Brand: onsemi
SKU: NTMFS4935NT1G

NTMFS4935NT1G N-channel Mosfet Transistor, 93 A, 30 V, 8-PIN SO-8FL

$ 0.484

Obsolete

Page du fabricant Fiche technique

Prix et stock

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet		NTMFS4935NT1G	1 913	2273					0,419	2d
Verical	5	NTMFS4935NT1G	1 500	715				0,484	0,432
Rochester Electronics		NTMFS4935NT1G	1 151 098				0,467	0,387	0,345	6h
Flip Electronics		NTMFS4935NT1G	1 913							2d
RS (Formerly Allied Electronics)		NTMFS4935NT1G	0	10	Bulk	0,840	0,760	0,760	0,760	20h

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Farnell

Datasheet7 pagesIl y a 13 ans

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Ce composant

Pièces de rechange

onsemiNTMFS4935NT1G

onsemiNTMFS4935NT3G

Price @ 1000

$ 0.484

$ 0.46

Stock

5,416,841

568,224

Authorized Distributors

Mount

Case/Package

DFN

Drain to Source Voltage (Vdss)

30 V

Continuous Drain Current (ID)

13 A

93 A

Threshold Voltage

1.63 V

Rds On Max

3.2 mΩ

Gate to Source Voltage (Vgs)

20 V

Power Dissipation

2.63 W

Input Capacitance

4.85 nF

Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginMalaysia

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2009-08-25

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 6 days ago)

LTB Date2022-04-01

LTD Date2022-10-01

Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 6 days ago)

Pièces détachées

onsemiNTMFS4937NT1G

NTMFS4937N: Power MOSFET 30V 70A 4.5 mOhm Single N-Channel SO-8FL

Détails

InfineonIRF8788TRPBF

Single N-Channel 30 V 2.8 mOhm 66 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8

Détails

InfineonIRF7862TRPBF

Single N-Channel 30 V 4.5 mOhm 45 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8

Détails

InfineonIRF8707TRPBF

IRF8707TRPBF N-channel MOSFET Transistor, 11 A, 30 V, 8-Pin SOIC

Détails

onsemiNTMFS4939NT1G

NTMFS4939N: Power MOSFET 30V 53A 5.5 mOhm Single N-Channel SO-8FL

Détails

Diodes Inc.DMC3028LSD-13

Dual N/P-Channel 30 V 0.045/0.041 Ohm 5.2/16.4 nC 2.1 W Silicon Mosfet - SOIC-8

Détails

Descriptions

Descriptions de onsemi NTMFS4935NT1G fournies par ses distributeurs.

NTMFS4935NT1G N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 93 A, 30 V, 8-PIN SO-8FL

RS (Formerly Allied Electronics)

MOSFET N-CH 30V 13A SO8FL / Trans MOSFET N-CH 30V 21.8A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R

Win Source

NTMFS4935N: Power MOSFET 30V 93A 3.2 mOhm Single N-Channel SO-8FL

North Star Micro

N-Channel 30 V 3.2 mO 49.4 nC Surface Mount Power Mosfet - DFN-5

Future Electronics

MOSFET, N CH, 30V, 93A, SO-8 FL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:93A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.0027ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.63V; Power Dissipation Pd:48W; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8Pins; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Automotive Qualification Standard:-; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:Lead (27-Jun-2018); Operating Temperature Min:-55°C

element14 APAC

Images

Rochester Electronics

Future Electronics

Alias du fabricant

onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

NTMFS4935NT1G.
NTMFS4935NT1G..

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Spécifications techniques

Physical

Case/PackageSO

Contact PlatingTin

Number of Pins5

Number of Terminals6

Technical

Continuous Drain Current (ID)13 A

Drain to Source Breakdown Voltage30 V

Drain to Source Resistance4.2 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)30 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time6.6 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)20 V

Input Capacitance4.85 nF

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation48 W

Min Breakdown Voltage30 V

Min Operating Temperature-55 °C

Nominal Vgs1.63 V

Number of Elements1

PackagingTape and Reel

Power Dissipation2.63 W

Rds On Max3.2 mΩ

Rise Time20 ns

Schedule B8541290080

Threshold Voltage1.63 V

Turn-Off Delay Time27.5 ns

Turn-On Delay Time16.3 ns

Dimensions

Height1.1 mm

Length5.1 mm

Width6.1 mm

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Farnell

Datasheet7 pagesIl y a 13 ans

Datasheet9 pagesIl y a 6 ans

IHS

Conformité

Classification environnementale

China RoHSNon-Compliant

Lead FreeLead Free

Radiation HardeningNo

REACH SVHCNo

RoHSCompliant

Déclarations de conformité

Rohs Statement3 pagesIl y a 5 ans

Reach Statement8 pagesIl y a 11 ans

Rohs StatementN/AN/A