onsemi NTMFS4841NHT1G
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Pièces détachées
onsemiNTMFS4839NHT1G
Tape & Reel (TR) Surface Mount N-Channel Single Mosfet Transistor 9.5A Ta 64A Tc 64A 5.7W 3.4ns
VishaySI4156DY-T1-GE3
Si4156DY Series N-Channel 30 V 0.006 Ohm 6 W Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8
VishaySI7634BDP-T1-GE3
SI7634BDP Series N-Channel 30 V 0.0054 Ohm Power MosFet SMT - POWERPAK-SO-8
Descriptions
Descriptions de onsemi NTMFS4841NHT1G fournies par ses distributeurs.
NTMFS4841NHT1G N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 59 A, 30 V, 8-PIN SO-8FL
Single N-Channel 30 V 6.72 mOhm 11.3 nC 2.16 W SMT Power Mosfet -SO-8FL
Power MOSFET 30 V 59 A Single N-Channel SO-8 FL
Trans MOSFET N-CH 30V 13.5A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
13.5 A 30 V 0.0116 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET
Power Field-Effect Transistor, 13.5A I(D), 30V, 0.0116ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
onsemi NMOS, Vds=30 V, 59 A, SO-8FL, , 8
MOSFET, N-CH, 30V, 59A, DFN; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 59A; Drain Source Voltage Vds: 30V; On Resistance Rds(on): 0.0048ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 2.1V; Power
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Terminals6
Technical
Continuous Drain Current (ID)13.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance11.6 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time2.9 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.113 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation41.7 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation870 mW
Rds On Max7 mΩ
Rise Time20.6 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time21.9 ns
Turn-On Delay Time7.2 ns
Dimensions
Height1.15 mm
Length5.1 mm
Width6.1 mm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité