onsemi NTJS3157NT1G
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Pièces de rechange
Ce composant
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Stock
1,128,659
84,562
Authorized Distributors
6
1
Mount
-
-
Case/Package
SOT-363-6
SOT-363-6
Drain to Source Voltage (Vds)
20 V
20 V
Continuous Drain Current (ID)
3.2 A
3.2 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
60 mΩ
60 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
8 V
8 V
Power Dissipation
1 W
1 W
Input Capacitance
500 pF
500 pF
Chaîne d'approvisionnement
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 6 hours ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 6 hours ago)
Pièces détachées
onsemiNTJS4151PT1G
NTJS4151P: Power MOSFET 20V 4.2A 60 mOhm Single P-Channel SC-88/SC70-6/SOT-363
onsemiNTJD4105CT1G
NTJD4105C: Small Signal MOSFET 20V 775mA 220 mOhm Dual Complementary SC-88/SC70-6/SOT-363
InfineonBSD840NH6327XTSA1
Mosfet, Dual N Ch, 20V, 0.88A, Sot-363-6; |Infineon Technologies BSD840NH6327XTSA1
onsemiNVJS4405NT1G
Single N-Channel Small Signal MOSFET 25V, 1.2A, 350mΩ Automotive Version of the NTJS4405N
Rochester ElectronicsBSD214SNL6327
Trans MOSFET N-CH 20V 1.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
Descriptions
Descriptions de onsemi NTJS3157NT1G fournies par ses distributeurs.
NTJS3157N: Power MOSFET 20V 4A 60 mOhm Single N-Channel SC-88/SC70-6/SOT-363
NTJS3157NT1G N-channel MOSFET Transistor; 4 A; 20 V; 6-Pin SC-88
Single N-Channel Trench Power MOSFET 20V, 4.0A, 60mΩ
N-Channel 20 V 45 mOhm 1 W SMT Trench Power MOSFET - SOT-363
NFET SC88 20V 4A 60MO; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 4mA; Drain Source Voltage Vds: 20V; On Resistance Rds(on): 0.06ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5V; Threshold Voltage Vgs: 400mV; Power Dissip
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOT-363-6
Contact PlatingTin
Number of Pins6
Number of Terminals6
Technical
Continuous Drain Current (ID)3.2 A
Current Rating3.2 A
Drain to Source Breakdown Voltage20 V
Drain to Source Resistance60 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)20 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time11 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Input Capacitance500 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs400 mV
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation1 W
Rds On Max60 mΩ
Resistance45 MΩ
Rise Time12 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time21 ns
Turn-On Delay Time6 ns
Voltage Rating (DC)20 V
Dimensions
Height1 mm
Length2.2 mm
Width1.35 mm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Déclarations de conformité