onsemi NTJD2152PT1G
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Fiche technique officielleIl y a 12 ans
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2003-08-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 years ago)
LTB Date2010-10-14
LTD Date2011-04-14
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 years ago)
Pièces détachées
Diodes Inc.DMP2004DWK-7
P-Channel MOSFET 20V 2-Ch 250mW 900mΩ@430mA,4.5V 175pF@16V SOT-363 SMD 2.15mm × 1.3mm × 1mm
Descriptions
Descriptions de onsemi NTJD2152PT1G fournies par ses distributeurs.
Small Signal MOSFET 8V 775mA 300 mOhm Dual P-Channel SC−88/SC70−6/SOT−363 with ESD Protection
Tape & Reel (TR) Surface Mount 2P-Channel (Dual) Dual Mosfet Array 4nC @ 4.5V 775mA 270mW 23ns
Transistor MOSFET Array Dual P-CH 8V 0.775A 6-Pin SC-88 T/R
550mW 8V 1V@ 250µA 4nC@ 4.5V 2individualPChannel 8V 300mΩ@ 570mA,4.5V 775mA 225pF@8V SOT-363-6 SMD mount 2mm*1.25mm*900μm
Transistor; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:Dual P Channel; Drain Source Voltage, Vds:-8V; Continuous Drain Current, Id:0.775A; On Resistance, Rds(on):300mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:-4.5V ;RoHS Compliant: Yes
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOT-363
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Technical
Continuous Drain Current (ID)775 mA
Current Rating-775 mA
Drain to Source Breakdown Voltage-8 V
Drain to Source Resistance300 mΩ
Element ConfigurationDual
Fall Time23 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Input Capacitance225 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation550 mW
Min Breakdown Voltage8 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements2
Power Dissipation270 mW
Rds On Max300 mΩ
Rise Time23 ns
Turn-Off Delay Time50 ns
Voltage Rating (DC)-8 V
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Déclarations de conformité