Diodes Inc. DMG1016UDW-7
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95
Introduction Date2009-10-26
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Pièces détachées
Diodes Inc.DMP2200UDW-7
Dual Mosfet, P-Ch, 20V, 0.9A, Sot-363 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMP2200UDW-7
InfineonBSD214SNH6327XTSA1
Mosfet, N-Ch, 20V, 1.5A, Sot-363 Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies BSD214SNH6327XTSA1
Descriptions
Descriptions de Diodes Inc. DMG1016UDW-7 fournies par ses distributeurs.
Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.066A/0.845A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
Mosfet Bvdss: 8V-24V Sot363 T&r 3K Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMG1016UDW-7
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 20 V, 20 V, 845 mA, 845 mA, 0.3 ohm
Dual N & P-Channel 20 V 450 mOhm Enhancement Mode Mosfet
COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET Small Signal Field-Effect Transistor, 1.066A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Alias du fabricant
Diodes Inc. possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. Diodes Inc. peut également être connu sous les noms suivants :
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOT-363
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Weight6.010099 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)1.066 A
Drain to Source Breakdown Voltage20 V
Drain to Source Resistance450 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Fall Time12.3 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)6 V
Input Capacitance60.67 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation330 mW
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements2
Power Dissipation330 mW
Rds On Max450 mΩ
Resistance750 mΩ
Rise Time7.4 ns
Schedule B8541210080
Threshold Voltage1 V
Turn-Off Delay Time26.7 ns
Turn-On Delay Time5.1 ns
Dimensions
Height1.1 mm
Length2.2 mm
Width1.35 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité