onsemi NTJD1155LT1G
$ 0.114
Production
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | NTJD1155LT1G | 6 000 | 3K | 1d | ||||||||
| Newark | NTJD1155LT1G | 7 074 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| Future Electronics | NTJD1155LT1G | 18 000 | 3K | Tape & Reel | ||||||||
| Rochester Electronics | NTJD1155LT1G | 400 | 12h | |||||||||
| DigiKey | NTJD1155LT1GOSCT-ND | 86 363 | 1 | Cut Tape |
Historique des stocks
Tendance sur 3 mois : -5.04%
Modèles CAO
Télécharger le symbole, l’empreinte et le 3D STEP
Pièces de rechange
0 composant disponible
Fiches techniques et documents
Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour onsemi NTJD1155LT1G.
Modèles CAO
Téléchargez les symboles onsemi NTJD1155LT1G, les empreintes et les modèles STEP 3D de nos partenaires de confiance.
| SOURCE | ECAD | MCAD | FICHIERS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SymboleEmpreinte | 3D | Télécharger |
 EE Concierge | SymboleEmpreinte | ||
 SnapEDA | SymboleEmpreinte | 3D | Télécharger |
 Ultra Librarian | SymboleEmpreinte | Télécharger |
Le site partenaire s’ouvrira dans un nouvel onglet lorsque vous téléchargez ses modèles de CAO.
En téléchargeant des modèles de CAO depuis Octopart, vous acceptez nos conditions générales d’utilisation et notre politique de confidentialité.
Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-10-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Pièces détachées
Rochester ElectronicsBSD214SNL6327
Trans MOSFET N-CH 20V 1.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
VishaySI1403BDL-T1-E3
Single P-Channel 20 V 0.15 Ohms Surface Mount Power Mosfet - SC-70-6 (SOT-363)
InfineonBSD235NH6327XTSA1
Mosfet, N-Ch, 20V, 0.95A, Sot-363 Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies BSD235NH6327XTSA1
onsemiNTJS4405NT1G
NTJS4405N: Small Signal MOSFET 25V 1.2A 350 mOhm Single N-Channel SC-88/SC70-6/SOT-363
onsemiNVJS4405NT1G
Single N-Channel Small Signal MOSFET 25V, 1.2A, 350mΩ Automotive Version of the NTJS4405N
Descriptions
Descriptions de onsemi NTJD1155LT1G fournies par ses distributeurs.
Dual P-Channel High Side Load Switch with Level-Shift Power MOSFET -8V ±1.3A 175mΩ
P-Channel 8 V 130 mOhm 400 mW Surface Mount Power MOSFET - SOT-363
NTJD1155LT1G DUAL N/P-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 1.3 A, 8 V, 6-PIN SC-88
Small Signal Field-Effect Transistor, 1.3A I(D), 8V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
NFET SC88 8V HI SIDE SW; Transistor Polarity: P Channel; Continuous Drain Current Id: 1.3A; Drain Source Voltage Vds: -8V; On Resistance Rds(on): 0.175ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5V; Threshold Voltage Vgs: 1V; Power Diss
P Channel Mosfet, -8V, Sc-88, Full Reel; Channel Type:Complementary N And P Channel; Drain Source Voltage Vds N Channel:8V; Drain Source Voltage Vds P Channel:8V; Continuous Drain Current Id N Channel:1.3A; No. Of Pins:6Pins Rohs Compliant: Yes |Onsemi NTJD1155LT1G
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Historique des stocks
Tendance sur 3 mois : -5.04%
Modèles CAO
Télécharger le symbole, l’empreinte et le 3D STEP
Pièces de rechange
0 composant disponible
Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOT-363-6
Number of Pins6
Number of Terminals6
Technical
Continuous Drain Current (ID)1.3 A
Current Rating630 mA
Drain to Source Breakdown Voltage-8 V
Drain to Source Resistance175 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)8 V
Element ConfigurationDual
Gate to Source Voltage (Vgs)1 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation400 mW
Min Breakdown Voltage8 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements2
PackagingTape and Reel
Power Dissipation400 mW
Rds On Max175 mΩ
Resistance130 mΩ
Threshold Voltage1 V
Dimensions
Height1 mm
Length2.2 mm
Width1.35 mm
Fiches techniques et documents
Téléchargez les fiches techniques et la documentation du fabricant pour onsemi NTJD1155LT1G.
Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité