onsemi NTHS5441T1
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 EE Concierge | SymboleEmpreinte |
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Pièces de rechange
Ce composant
Pièces de rechange
Price @ 1000
$ 0.143
$ 0.434
Stock
453,157
309,147
Authorized Distributors
2
2
Mount
-
Surface Mount
Case/Package
-
SMD/SMT
Drain to Source Voltage (Vdss)
-20 V
-
Continuous Drain Current (ID)
3.9 A
3.9 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
-
46 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
12 V
12 V
Power Dissipation
1.3 W
1.3 W
Input Capacitance
-
710 pF
Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2001-05-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 years ago)
LTB Date2010-10-14
LTD Date2011-04-14
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 years ago)
Descriptions
Descriptions de onsemi NTHS5441T1 fournies par ses distributeurs.
Power MOSFET -20V -5.3A 60 mOhm Single P-Channel ChipFET
MOSFETs- Power and Small Signal -20V -5.3A P-Channel No-Cancel/No-Return
Trans MOSFET P-CH 20V 3.9A 8-Pin Chip FET T/R
3900 mA 20 V P-CHANNEL Si SMALL SIGNAL MOSFET
Small Signal Field-Effect Transistor, 3.9A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET P-CH 20V 3.9A CHIPFET SMD
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)3.9 A
Current Rating-3.9 A
Drain to Source Breakdown Voltage-20 V
Drain to Source Resistance60 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-20 V
Fall Time22 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation700 mW
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingBulk
Power Dissipation1.3 W
Rise Time22 ns
Turn-Off Delay Time42 ns
Turn-On Delay Time14 ns
Voltage Rating (DC)-20 V
Dimensions
Height1.1 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeContains Lead
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité