onsemi NTHD4508NT1G
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2003-09-11
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 2 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)
Pièces détachées
onsemiNTHC5513T1G
NTHC5513T1G DUAL N/P-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 3 A, 3.9 A, 20 V, 8-PIN CHIPFET
VishaySI5935CDC-T1-GE3
SI5935CDC-T1-GE3 DUAL P-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR,3.8 A,20V,8-PIN 1206 CHIPFET
VishaySI5935CDC-T1-E3
1.3W 8V 1V@ 250¦ÌA 11nC@ 5V 2P 20V 100m¦¸@ 3.1A,4.5V 4A 455pF@10V CHIPFET-8 3.05mm*1.65mm*1.1mm
Descriptions
Descriptions de onsemi NTHD4508NT1G fournies par ses distributeurs.
NTHD4508NT1G N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 4.1 A, 20 V, 8-PIN CHIPFET
Dual N-Channel ChipFET™ Power MOSFET 20V 4.1A 75mΩ
Transistor MOSFET Array Dual N-CH 20V 3A 8-Pin ChipFET T/R
MOSFET, DUAL N CH, 20V, 0.06OHM, 4.1A; Transistor Polarity: Dual N Channel; Continuous Drain Current Id: 4.1A; Drain Source Voltage Vds: 20V; On Resistance Rds(on): 0.06ohm; Rds(on) Test; Available until stocks are exhausted
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSMD/SMT
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)3 A
Current Rating3.1 A
Drain to Source Breakdown Voltage20 V
Drain to Source Resistance75 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Element ConfigurationDual
Fall Time15 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance180 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.13 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
Power Dissipation1.13 W
Rds On Max75 mΩ
Rise Time15 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage1.2 V
Turn-Off Delay Time10 ns
Turn-On Delay Time5 ns
Voltage Rating (DC)20 V
Dimensions
Height1.1 mm
Length3.1 mm
Width1.7 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité