onsemi NTH4L160N120SC1

Name: onsemi NTH4L160N120SC1
Brand: onsemi
SKU: NTH4L160N120SC1

Transistor MOSFET N-Channel 1200V 27.3A 4-Pin TO-247 Tube

$ 4.38

Production

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet	3	NTH4L160N120SC1	528	188					3,632	3,594	5d
Future Electronics	2	NTH4L160N120SC1	333	5	Tube		4,860	4,680	4,500	4,500
Newark		NTH4L160N120SC1	90	1		4,570	4,570	4,570	4,570	4,570
Verical	3	NTH4L160N120SC1	369	2			3,744	3,744	3,744	3,744
Arrow Electronics		NTH4L160N120SC1	30	1		3,744	3,744	3,744	3,744	3,744

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IHS

Datasheet8 pagesIl y a 3 ans

Farnell

Future Electronics

TME

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Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2018-08-23

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

Descriptions

Descriptions de onsemi NTH4L160N120SC1 fournies par ses distributeurs.

Transistor MOSFET N-Channel 1200V 27.3A 4-Pin TO-247 Tube

Avnet Japan

Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 160 mohm, 1200 V, M1, TO-247-4L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 160 mohm, 1200 V, M1, TO-247-4L

onsemi

Power Field-Effect Transistor, 17.3A I(D), 1200V, 0.224ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247

IHS

Sic Mosfet, N-Ch, 20V, 17.3A, To-247; Mosfet Module Configuration:Single; Channel Type:N Channel; Continuous Drain Current Id:17.3A; Drain Source Voltage Vds:1.2Kv; No. Of Pins:4Pins; Rds(On) Test Voltage:20V; Power Dissipation:111W Rohs Compliant: Yes |Onsemi NTH4L160N120SC1

Newark

Images

Alias du fabricant

onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :