onsemi NTH4L020N090SC1

Name: onsemi NTH4L020N090SC1
Brand: onsemi
SKU: NTH4L020N090SC1

TO-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS

$ 17.85

Production

Page du fabricant Fiche technique

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet	2	NTH4L020N090SC1	4 500	450					18,412	17,276	8h
Newark		NTH4L020N090SC1	1 344	1		17,790	17,790	17,790	17,790	17,790
Rochester Electronics		NTH4L020N090SC1	900					17,490	15,650	14,730	6h
Verical		NTH4L020N090SC1	900	25				21,863	19,563	18,413
DigiKey		5556-NTH4L020N090SC1-ND	190	1	Tube	30,200	30,200	19,559	17,492	17,492

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IHS

Datasheet8 pagesIl y a 3 ans

Farnell

Future Electronics

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Chaîne d'approvisionnement

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2019-11-21

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 days ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 days ago)

Descriptions

Descriptions de onsemi NTH4L020N090SC1 fournies par ses distributeurs.

TO-247-4 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS

EBEE

Mosfet, Sic, 900V, 116A, To-247 Rohs Compliant: Yes |Onsemi NTH4L020N090SC1

Newark

Power Field-Effect Transistor, 148A I(D), 900V, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247

IHS

Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 20 mohm, 900 V, M2, TO-247-4L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 20 mohm, 900 V, M2, TO-247-4L

onsemi

MOSFET, N-CH, 900V, 116A, TO-247; MOSFET Module Configuration:Single; Channel Type:N Channel; Continuous Drain Current Id:116A; Drain Source Voltage Vds:900V; No. of Pins:4Pins; Rds(on) Test Voltage:18V; Power Dissipatio

element14 APAC

Images

LZChips

Alias du fabricant

onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :