onsemi NTD85N02RT4
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Obsolete
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2003-03-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 weeks ago)
LTB Date2008-06-30
LTD Date2008-12-31
Pièces détachées
onsemiNTD80N02T4
Tape & Reel (TR) Surface Mount N-Channel Single Mosfet Transistor 80A Tc 80A 75W 40ns
onsemiNTD95N02RG
Tube Surface Mount N-Channel Single Mosfet Transistor 12A Ta 32A Tc 32A 86W 70ns
InfineonIRLR8726TRLPBF
N CH POWER MOSFET, HEXFET, 30V, 86A, DPAK; Transistor Polarity:N Channel; Contin
InfineonIRLR8729TRLPBF
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package, DPAK-3, RoHS
Descriptions
Descriptions de onsemi NTD85N02RT4 fournies par ses distributeurs.
MOSFETs- Power and Small Signal 24V 85A N-Channel No-Cancel/No-Return
Trans MOSFET N-CH 24V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Power Field-Effect Transistor, 85A I(D), 24V, 0.0052ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
NFET DPAK 24V 85A 5.2O
MOSFET N-CH 24V 12A/85A DPAK
N-CHANNEL POWER MOSFET
NTD85N02RT4, SINGLE MOSFETS;
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-252-3
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)85 A
Current Rating85 A
Drain to Source Breakdown Voltage24 V
Drain to Source Resistance5.2 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)24 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time12 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.05 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation78.1 W
Min Breakdown Voltage24 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation2.4 W
Rds On Max5.2 mΩ
Rise Time77 ns
Turn-Off Delay Time25 ns
Voltage Rating (DC)24 V
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeContains Lead
REACH SVHCNo
RoHSNon-Compliant
Déclarations de conformité