onsemi NTD80N02-1G
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Obsolete
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2002-02-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 years ago)
LTB Date2010-10-14
LTD Date2011-04-14
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 years ago)
Pièces détachées
onsemiNTD85N02R-001
Tube Through Hole N-Channel Single Mosfet Transistor 12A Ta 85A Tc 85A 2.4W 12ns
onsemiNTD85N02R-1G
Tube Through Hole N-Channel Single Mosfet Transistor 12A Ta 85A Tc 85A 2.4W 12ns
onsemiNTD4855N-1G
Tube Through Hole N-Channel Single Mosfet Transistor 14A Ta 98A Tc 17.7A 2.24W 4.35ns
Descriptions
Descriptions de onsemi NTD80N02-1G fournies par ses distributeurs.
Tube Through Hole N-Channel Single Mosfet Transistor 80A Tc 80A 75W 40ns
Power MOSFET 24V 80A 5.8 Single N-Channel DPAK
Trans MOSFET N-CH 24V 80A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
MOSFETs- Power and Small Signal 24V 80A N-Channel
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 24V, 0.0058ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-251-3
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins4
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)80 A
Current Rating80 A
Drain to Source Breakdown Voltage24 V
Drain to Source Resistance5.8 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)24 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time40 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.6 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation75 W
Min Breakdown Voltage24 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingBulk
Power Dissipation75 W
Rds On Max5.8 mΩ
Rise Time67 ns
Turn-Off Delay Time28 ns
Voltage Rating (DC)24 V
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité