onsemi NTD4860N-1G
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Obsolete
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 EE Concierge | SymboleEmpreinte |
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-12-17
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 years ago)
LTB Date2011-01-06
LTD Date2011-07-02
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 years ago)
Pièces détachées
onsemiNTD4808NT4G
Tape & Reel (TR) Surface Mount N-Channel Single Mosfet Transistor 10A Ta 63A Tc 12A 2W 5.6ns
Descriptions
Descriptions de onsemi NTD4860N-1G fournies par ses distributeurs.
Tube Through Hole N-Channel Single Mosfet Transistor 10.4A Ta 65A Tc 12.6A 2W 2.3ns
Single N-Channel Power MOSFET 25V, 65A, 7.5mΩ
Trans MOSFET N-CH 25V 13A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
10.4 A 25 V 0.0111 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET
Power Field-Effect Transistor, 10.4A I(D), 25V, 0.0111ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET N-CH 25V 10.4A/65A IPAK
Transistor; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current, Id:12.6A; Drain Source Voltage, Vds:25V; On Resistance, Rds(on):7.5mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Threshold Voltage, Vgs Typ:2.5V; Power Dissipation, Pd:2W ;RoHS Compliant: Yes
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-251
Contact PlatingTin
Number of Pins4
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)10.4 A
Drain to Source Breakdown Voltage25 V
Drain to Source Resistance11.1 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)25 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time2.3 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.308 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation50 W
Min Breakdown Voltage25 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation2 W
Rds On Max7.5 mΩ
Rise Time17 ns
Turn-Off Delay Time22 ns
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité