onsemi NTD4809NA-1G

Name: onsemi NTD4809NA-1G
Brand: onsemi
SKU: NTD4809NA-1G

Tube Through Hole N-Channel Single Mosfet Transistor 9.6A Ta 58A Tc 11.5A 2W 2.3ns

$ 0.099

Fiche technique

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Verical	2	NTD4809NA-1G	37 500	3040						0,110
Rochester Electronics		NTD4809NA-1G	86 000					0,119	0,099	0,088	5h
Worldway Electronics		NTD4809NA-1G	18 534	7	Tube		0,028	0,027	0,026	0,026	6h
Fmall Co., Limited		NTD4809NA-1G	48 910			0,074	0,074	0,070	0,066	0,060	>1wk
Bettlink		NTD4809NA-1G	24 116			0,229	0,170	0,148	0,138	0,124	10h

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Pièces détachées

onsemiNTD4808N-35G

Tube Through Hole N-Channel Single Mosfet Transistor 10A Ta 63A Tc 63A 2W 5.6ns

Détails

onsemiNTD4806NA-1G

Tube Through Hole N-Channel Single Mosfet Transistor 11.3A Ta 79A Tc 14A 2.14W 4.7ns

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onsemiNTD70N03R-001

Tube Through Hole N-Channel Single Mosfet Transistor 10A Ta 32A Tc 32A 1.87W 1.3ns

Détails

Descriptions

Descriptions de onsemi NTD4809NA-1G fournies par ses distributeurs.

Tube Through Hole N-Channel Single Mosfet Transistor 9.6A Ta 58A Tc 11.5A 2W 2.3ns

Fly-Wing Technology

MOSFETs- Power and Small Signal NFET 30V 58A 9MOHM

Mouser

Trans MOSFET N-CH 25V 11.5A 3-Pin(3+Tab) IPAK Rail

Avnet

NTD4809NA - MOSFET N-CH 30V 9A IPAK;

Farnell

Alias du fabricant

onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

NTD4809NA1G

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Spécifications techniques

Physical

Case/PackageTO-251-3

MountThrough Hole

Number of Pins3

Technical

Continuous Drain Current (ID)11.5 A

Drain to Source Breakdown Voltage30 V

Drain to Source Resistance9 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)30 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time2.3 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)20 V

Input Capacitance1.456 nF

Max Operating Temperature175 °C

Max Power Dissipation2 W

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Elements1

Power Dissipation2 W

Rds On Max9 mΩ

Rise Time22.7 ns

Turn-Off Delay Time25.3 ns

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Datasheet8 pagesIl y a 18 ans

Farnell

Conformité

Classification environnementale

Radiation HardeningNo

RoHSCompliant

Déclarations de conformité

Reach Statement8 pagesIl y a 11 ans