onsemi NTD40N03R-1G
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Obsolete
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2003-01-29
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 years ago)
LTB Date2011-01-06
LTD Date2011-07-02
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 years ago)
Pièces détachées
onsemiNTD50N03R-35G
Tube Through Hole N-Channel Single Mosfet Transistor 7.8A Ta 45A Tc 45A 50W 4ns
onsemiNTD50N03R-1G
Tube Through Hole N-Channel Single Mosfet Transistor 7.8A Ta 45A Tc 45A 50W 4ns
onsemiNTD4815N-1G
Tube Through Hole N-Channel Single Mosfet Transistor 6.9A Ta 35A Tc 35A 1.92W 21.4ns
Descriptions
Descriptions de onsemi NTD40N03R-1G fournies par ses distributeurs.
Tube Through Hole N-Channel Single Mosfet Transistor 7.8A Ta 32A Tc 45A 2.1W 3.5ns
Power MOSFET 25V 45A 16.5 mOhm Single N-Channel IPAK
N CHANNEL MOSFET, 25V, 45A, D-PAK; Trans; N CHANNEL MOSFET, 25V, 45A, D-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:45A; Drain Source Voltage Vds:25V; On Resistance Rds(on):12.6mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.7V; No. of Pins:3
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-251-3
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins4
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)32 A
Current Rating40 A
Drain to Source Breakdown Voltage25 V
Drain to Source Resistance23 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)25 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time3.5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance584 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation41.7 W
Min Breakdown Voltage25 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingBulk
Power Dissipation2.1 W
Rds On Max16.5 mΩ
Rise Time19.5 ns
Threshold Voltage1.7 V
Turn-Off Delay Time16.7 ns
Voltage Rating (DC)25 V
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité