onsemi NTD360N80S3Z
$ 1.65
Production
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | NTD360N80S3Z | 2 270 | 2500 | 22h | ||||||||
| Newark | NTD360N80S3Z | 2 227 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Verical | NTD360N80S3Z | 2 500 | 2500 | |||||||||
| Arrow Electronics | NTD360N80S3Z | 2 500 | 2500 | |||||||||
| DigiKey | 488-NTD360N80S3ZCT-ND | 6 891 | 1 | Cut Tape |
Historique des stocks
Tendance sur 3 mois : -6.51%
Modèles CAO
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Pièces de rechange
0 composant disponible
Fiches techniques et documents
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Chaîne d'approvisionnement
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Descriptions
Descriptions de onsemi NTD360N80S3Z fournies par ses distributeurs.
MOSFET N-CH 800V 13A DPAK / N-Channel 800 V 13A (Tc) 96W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252)
MOSFET – Power, N-Channel, SUPERFET® III, 800 V, 13 A, 360 mΩ, DPAK
Transistor MOSFET N-Channel 800V 13A 3-Pin TO-252 T/R
Avnet Japan
Mosfet, N-Ch, 800V, 13A, To-252 Rohs Compliant: Yes |Onsemi NTD360N80S3Z
Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 800V, 0.36ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)13 A
Drain to Source Breakdown Voltage800 V
Drain to Source Resistance360 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)800 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation96 W
Min Breakdown Voltage800 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation96 W
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time110 ns
Turn-On Delay Time21.2 ns
Dimensions
Height2.517 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité