onsemi NSV1C201MZ4T1G
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-11-04
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Pièces détachées
onsemiNSS1C201MZ4T1G
Trans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R / TRANS NPN 100V 2A SOT223-4
onsemiBCP56-16T1G
Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, NPN, 80 V, 1 A, 1.5 W, SOT-223, Surface Mount
Descriptions
Descriptions de onsemi NSV1C201MZ4T1G fournies par ses distributeurs.
2.0 A, 100 V Low VCE(sat) NPN Bipolar Transistor
Bipolar Transistors (BJT); NSV1C201MZ4T1G; ON SEMICONDUCTOR; NPN; 4; 100 V; 2 A
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-261AA
100V 800mW 120@500mA,2V 2A NPN SOT-223 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Trans GP BJT NPN 100V 2A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 100V, SOT-223-4
General Purpose Transistors NPN Ic=2A Vceo=100V hfe=120~360 P=800mW SOT223
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOT-223-4
Number of Pins4
Number of Terminals4
Weight250.212891 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)140 V
Collector Emitter Breakdown Voltage100 V
Collector Emitter Saturation Voltage180 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)100 V
Continuous Collector Current2 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)7 V
Frequency100 MHz
Gain Bandwidth Product100 MHz
hFE Min40
Max Breakdown Voltage100 V
Max Collector Current2 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation800 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
PolarityNPN
Power Dissipation2 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency100 MHz
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité