onsemi NST45010MW6T1G
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-04-07
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Pièces détachées
Descriptions
Descriptions de onsemi NST45010MW6T1G fournies par ses distributeurs.
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon
NST45010 Series 45 V 100 mA Dual Matched General Purpose Transistor - SOT-363
100 mA 45 V 2 CHANNEL PNP Si SMALL SIGNAL TRANSISTOR
NST45010MW6T1G, DUAL MATCHED PNP 45V | ON Semiconductor NST45010MW6T1G
TRANS, DUAL PNP, -45V, SOT363; Transistor Polarity:Dual PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-45V; Power Dissipation Pd:380mW; DC Collector Current:-100mA; DC Current Gain hFE:220hFE; Transistor Case Style:SOT-363; No
These transistors are housed in a ultra-small SOT-363 package ideally suited for portable products. They are assembled to create a pair of devices highly matched in all parameters eliminating the need for costly trimming. Applications are Current Mirrors Differential Sense and Balanced Amplifiers Mixers Detectors and Limiters.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOT-363-6
Number of Pins6
Number of Terminals6
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)50 V
Collector Emitter Breakdown Voltage45 V
Collector Emitter Saturation Voltage-300 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)45 V
Element ConfigurationDual
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency100 MHz
Gain Bandwidth Product100 MHz
hFE Min220
Max Breakdown Voltage30 V
Max Collector Current100 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation380 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements2
PackagingTape and Reel
PolarityPNP
Power Dissipation380 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency100 MHz
Dimensions
Height1 mm
Length2.2 mm
Width1.35 mm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité