onsemi NJT4030PT3G

Name: onsemi NJT4030PT3G
Brand: onsemi
SKU: NJT4030PT3G

40V 2W 200@1A, 1V 3A PNP SOT-223 Bipolar Transistors - BJT ROHS

$ 0.196

Production

Page du fabricant Fiche technique

Prix et stock

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark	2	NJT4030PT3G	3 250	5	Cut Tape		0,467	0,309	0,216	0,216
Verical	3	NJT4030PT3G	6 127	38				0,225	0,170	0,158
Arrow Electronics		NJT4030PT3G	6 127	1		0,320	0,272	0,225	0,170	0,158
Rochester Electronics		NJT4030PT3G	22 000					0,196	0,163	0,145	22h
DigiKey	3	NJT4030PT3GOSCT-ND	14 105	1	Cut Tape	0,840	0,520	0,336	0,231	0,209

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Datasheet7 pagesIl y a 5 ans

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onsemi

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onsemiNJT4030PT3G

onsemiNJT4030PT1G

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Stock

879,243

1,473,842

Authorized Distributors

Mount

Surface Mount

Case/Package

SOT-223

Polarity

PNP

Collector Emitter Breakdown Voltage

40 V

Max Collector Current

3 A

Transition Frequency

160 MHz

Collector Emitter Saturation Voltage

500 mV

hFE Min

100

Power Dissipation

800 mW

2 W

Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginMalaysia

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2006-08-17

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

Pièces détachées

Diodes Inc.DJT4030P-13

Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin

Détails

Diodes Inc.BCP5116TA

BCP51 Series PNP 2 W 45 V 1 A Surface Mount Power Transistor - SOT-223

Détails

onsemiFZT790A

Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin

Détails

Diodes Inc.DMJT9435-13

Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 30 V, 800 mA, 1.2 W, SOT-223, Surface Mount

Détails

onsemiNZT6726

Tape & Reel (TR) Surface Mount PNP Single Bipolar (BJT) Transistor 50 @ 1A 1V 1.5A 1W 40V

Détails

onsemiPZT3906

Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R / TRANS PNP 40V 0.2A SOT223

Détails

Descriptions

Descriptions de onsemi NJT4030PT3G fournies par ses distributeurs.

40V 2W 200@1A,1V 3A PNP SOT-223 Bipolar Transistors - BJT ROHS

Dasenic

Bipolar Transistors (BJT); NJT4030PT3G; ON SEMICONDUCTOR; PNP; 4; 40 V; 3 A

Maritex

NJT4030P Series 40 V 3 A 2 W SMT PNP Silicon Power Transistor - SOT-223

Future Electronics

Bipolar Power Transistors, PNP, 3.0 A, 40 V

onsemi

Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-261AA, Plastic/Epoxy, 4 Pin

IHS

Trans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

Verical

Trans, Bipol, Pnp,-40V, Sot223; Transistor Polarity:Pnp; Collector Emitter Voltage V(Br)Ceo:40V; Transition Frequency Ft:100Mhz; Power Dissipation Pd:2W; Dc Collector Current:-3A; Dc Current Gain Hfe:220Hfe; Transistor Case Rohs Compliant: Yes |Onsemi NJT4030PT3G

Newark

Images

Alias du fabricant

onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

NJT4030PT3G.

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Spécifications techniques

Physical

Case/PackageSOT-223

Contact PlatingTin

MountSurface Mount

Number of Pins4

Number of Terminals4

Technical

Collector Base Voltage (VCBO)40 V

Collector Emitter Breakdown Voltage40 V

Collector Emitter Saturation Voltage500 mV

Collector Emitter Voltage (VCEO)40 V

Element ConfigurationSingle

Emitter Base Voltage (VEBO)6 V

Frequency160 MHz

Gain Bandwidth Product160 MHz

hFE Min100

Max Breakdown Voltage40 V

Max Collector Current3 A

Max Frequency1 MHz

Max Junction Temperature (Tj)150 °C

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation2 W

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Elements1

PolarityPNP

Power Dissipation800 mW

Schedule B8541290080

Transition Frequency160 MHz

Dimensions

Height1.75 mm

Length6.7 mm

Width3.7 mm

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IHS

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element14 APAC

Conformité

Classification environnementale

China RoHSNon-Compliant

Lead FreeLead Free

Radiation HardeningNo

REACH SVHCNo

RoHSCompliant

Déclarations de conformité

Rohs Statement3 pagesIl y a 5 ans

Reach Statement8 pagesIl y a 11 ans

Rohs StatementN/AN/A