onsemi NGTB25N120LWG
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-04-25
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 years ago)
LTB Date2017-06-23
LTD Date2017-12-23
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 years ago)
Pièces détachées
InfineonIGW25N120H3FKSA1
Infineon IGW25N120H3FKSA1 IGBT, 50 A 1200 V, 3-Pin TO-247, Through Hole
InfineonIRG7PH35UD1PBF
1200V UltraFast Discrete IGBT in a TO-247 package with Ultra-Low Vf Diode
International RectifierIRG7PH35UD1-EP
1200V UltraFast Discrete IGBT in a TO-247 package with Ultra-Low Vf Diode
Descriptions
Descriptions de onsemi NGTB25N120LWG fournies par ses distributeurs.
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 192000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
ON SEMICONDUCTOR - NGTB25N120LWG - IGBT, 1200V, 25A, FS1, TO-247-3
Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247
IGBT N-CH 1200V 50A FS 1.85V TO247
IGBT, 1200V, 25A, FS1, TO-247-3; DC Collector Current: 50A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 1.85V; Power Dissipation Pd: 192W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2kV; Transistor Case Style: TO-247; No. of Pin
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-247
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight6.500007 g
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage1.2 kV
Collector Emitter Saturation Voltage2.3 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)1.2 kV
Element ConfigurationSingle
Max Collector Current50 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation192 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time235 ns
Turn-On Delay Time89 ns
Dimensions
Height21.08 mm
Length16.26 mm
Width5.3 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité