onsemi NDT2955

Transistor MOSFET P-Channel 60V 2.5A 3W (Ta) Surface Mount SOT-223-4
$ 0.295
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Chaîne d'approvisionnement

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

Pièces détachées

onsemiNDT014
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 60V, 2.7A, 0.2Ω
Power MOSFET, N-Channel, Logic Level, QFET®, 60 V, 2.8 A, 110 mΩ, SOT-223
Single N-Channel 60 V 120 mOhm 9.7 nC SIPMOS® Small Signal Mosfet - SOT-223
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 0.065Ohm;ID 4.4A;SOT-223;PD 2.1W;VGS +/-16V
InfineonIRLL024NPBF
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4.4A; 0.065ohm; 2.1W; -55+150 deg.C; SMD; SOT223
Single N-Channel 60 V 0.2 Ohms Surface Mount Power Mosfet - SOT-223-3

Descriptions

Descriptions de onsemi NDT2955 fournies par ses distributeurs.

Transistor MOSFET P-Channel 60V 2.5A 3W (Ta) Surface Mount SOT-223-4
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.5A; 0.3ohm; 3W; -55+150 deg.C; SMD; SOT223
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor -60V, -2.5A, 300mΩ
Single P-Channel 60 V 3 W 15 nC Silicon Surface Mount Mosfet - SOT-223
Power MOSFET, P Channel, 60 V, 2.5 A, 0.3 ohm, SOT-223, Surface Mount
This 60V P-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s high voltage Trench process. It has been optimized for power management plications.
MOSFET, P-CH, 60V, 2.5A, SOT-223, RL; Transistor Polarity: P Channel; Continuous Drain Current Id: 2.5A; Drain Source Voltage Vds: -60V; On Resistance Rds(on): 0.095ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: -10V; Threshold Voltage Vgs: -
Transistor Polarity = P-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = -2.5 / Drain-Source Voltage (Vds) V = -60 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 500 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 12 / Rise Time ns = 20 / Turn-OFF Delay Time ns = 34 / Turn-ON Delay Time ns = 21 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Package Type = SOT-223 / Pins = 4 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Reflow Temperature Max. °C = 260 / Power Dissipation (Pd) W = 1.1
MOSFET, P CH, 60V, 2.5A, SOT-223; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:2.5A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):300mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2.6V; Transistor Case Style:SOT-223; No. of Pins:4; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:2.5A; Current Temperature:25°C; External Depth:7.3mm; External Length / Height:1.7mm; External Width:6.7mm; Full Power Rating Temperature:25°C; No. of Transistors:1; Package / Case:SOT-223; Power Dissipation Pd:3W; Power Dissipation Pd:3W; Pulse Current Idm:15A; SMD Marking:2955; Tape Width:12mm; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:60V; Voltage Vgs Max:-2.6V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:-4V

Alias du fabricant

onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :

  • ON Semiconductor
  • ONS
  • ONSEMICON
  • ON SEM
  • ON SEMICONDUCTO
  • ON SEMICONDUCTORS
  • ONSEMIC
  • ON Semicondu
  • OSC
  • ONSE
  • ON SEMICOND
  • ON Semiconductor / Fairchild
  • SCG
  • ON Semiconductor Cor
  • ON SEMICO
  • ONSM
  • ON SEMICONDUCTOR CORP
  • onsemi / Fairchild
  • MOT/ON SEMI
  • Fairchild/ONSemiconductor
  • ON Semiconductor Corporation
  • ON4
  • ON Semi - ON Semiconductor
  • ON SEMICONDUCT
  • ON-SEMI SCG
  • ON Semiconductor Inc.
  • onsemiconductor
  • On Semiconductor Ltd

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • NDT 2955
  • NDT2955.