onsemi NDT014

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 60V, 2.7A, 0.2Ω
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Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1995-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

Pièces détachées

onsemiNDT014L
N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 60V, 2.8A, 160mΩ
STMicroelectronicsSTN3P6F6
STN3P6F6 P-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 3 A, 60 V, 3 + TAB-PIN SOT-223
Power MOSFET, N-Channel, Logic Level, QFET®, 60 V, 2.8 A, 110 mΩ, SOT-223
Power MOSFET, N-Channel, QFET®, 60 V, 2.8 A, 140 mΩ, SOT-223
Single N-Channel 60 V 120 mOhm 9.7 nC SIPMOS® Small Signal Mosfet - SOT-223
InfineonIRFL014NPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 0.16Ohm;ID 1.9A;SOT-223;PD 2.1W;VGS +/-20V

Descriptions

Descriptions de onsemi NDT014 fournies par ses distributeurs.

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 60V, 2.7A, 0.2Ω
Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
60V N-Fet 200 Mo Sot223 Rohs Compliant: Yes
Power Field-Effect Transistor, 2.7A I(D), 60V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
60V 2.7A 180m´Î@10V1.6A 3W 3V@250uA 15pF@25V N Channel 155pF@25V 5nC@10V -65¡Í~+150¡Í@(Tj) SOT-223 MOSFETs ROHS
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
MOSFETs N-Channel FET Enhancement Mode
MOSFET, N SOT-223; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:2.7A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):180mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; Power Dissipation Pd:3W; Operating Temperature Range:-65°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-223; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:2.7A; Package / Case:SOT-223; Power Dissipation Pd:3W; Power Dissipation Pd:3W; Pulse Current Idm:10A; SMD Marking:014; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:60V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Power SOT N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild's proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance and provide superior switching performance. These devices are particularly suited for low voltage applications such as DC motor control and DC/DC conversion where fast switching, low in-line power loss, and resistance to transients are needed.

Alias du fabricant

onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :

  • ON Semiconductor
  • ONS
  • ONSEMICON
  • ON SEM
  • ON SEMICONDUCTO
  • ON SEMICONDUCTORS
  • ONSEMIC
  • ON Semicondu
  • OSC
  • ONSE
  • ON SEMICOND
  • ON Semiconductor / Fairchild
  • SCG
  • ON Semiconductor Cor
  • ON SEMICO
  • ONSM
  • ON SEMICONDUCTOR CORP
  • onsemi / Fairchild
  • MOT/ON SEMI
  • Fairchild/ONSemiconductor
  • ON Semiconductor Corporation
  • ON4
  • ON Semi - ON Semiconductor
  • ON SEMICONDUCT
  • ON-SEMI SCG
  • ON Semiconductor Inc.
  • onsemiconductor
  • On Semiconductor Ltd

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • NDT 014
  • NDT014.