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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1996-02-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2006-04-06
LTD Date2006-10-06
Pièces détachées
VishaySI4435DDY-T1-GE3
Si4435DDY Series 30 V 0.024 Ohm Surface Mount P-Channel Mosfet - SOIC-8
InfineonSI4435DYTRPBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -30V;RDS(ON) 0.015Ohm;ID -8A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V;-55
InfineonIRF7403TRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 0.022Ohm;ID 8.5A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V;VF
Descriptions
Descriptions de onsemi NDS9410A fournies par ses distributeurs.
MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC
SINGLE N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Small Signal Field-Effect Transistor, 7.3A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current, Id:7.3A; On Resistance, Rds(on):0.028ohm; Drain-Source Breakdown Voltage:30V; Gate-Source Voltage:3V; Leaded Process Compatible:No RoHS Compliant: No
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)7.3 A
Current Rating7.3 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance28 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Fall Time5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance830 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.5 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingCut Tape
Power Dissipation1 W
Rds On Max28 mΩ
Rise Time10 ns
Turn-Off Delay Time18 ns
Turn-On Delay Time6 ns
Voltage Rating (DC)30 V
Dimensions
Height1.75 mm
Fiches techniques et documents
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