Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Verical | NDS335N | 8 797 | 1713 | |||||||||
| Rochester Electronics | NDS335N | 71 091 | 12h | |||||||||
| Microchip USA | NDS335N | 384 | 3500 | Tray | 3d | |||||||
| Win Source | WS-NDS335N | 3 000 | 440 | 13h | ||||||||
| Worldway Electronics | NDS335N | 28 204 | 7 | Bulk | 2d |
Modèles CAO
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Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1996-05-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2009-03-09
LTD Date2009-09-09
Descriptions
Descriptions de onsemi NDS335N fournies par ses distributeurs.
Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 3-Pin SuperSOT T/R
Small Signal Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
500mW(Ta) 8V 1V@ 250¦ÌA 9nC@ 4.5V 1N 20V 110m¦¸@ 1.7A,4.5V 240pF@10V SUPERSOT-3 2.92mm*1.4mm*1.12mm
MOSFET N-CH 20V 1.7A SUPERSOT3
MOSFET N-Ch LL FET Enhancement Mode
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOT-23-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)1.7 A
Current Rating1.7 A
Drain to Source Breakdown Voltage20 V
Drain to Source Resistance140 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time29 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Input Capacitance240 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation500 mW
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingCut Tape
Power Dissipation460 mW
Rds On Max110 mΩ
Rise Time29 ns
Turn-Off Delay Time28 ns
Turn-On Delay Time8 ns
Voltage Rating (DC)20 V
Dimensions
Height1.12 mm
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Conformité
Classification environnementale
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité