onsemi MUN2216T1G
$ 0.021
Production
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Verical | MUN2216T1G | 30 000 | 463 | |||||||||
| Arrow Electronics | MUN2216T1G | 30 000 | 1 | |||||||||
| Rochester Electronics | MUN2216T1G | 159 000 | 22h | |||||||||
| DigiKey | MUN2216T1GOSCT-ND | 4 549 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Newark | MUN2216T1G | 0 | 12K | Tape & Reel |
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| SOURCE | ECAD | MCAD | FICHIERS |
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Chaîne d'approvisionnement
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Pièces détachées
onsemiMUN2215T1G
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
onsemiMUN2212T1G
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
ROHM2SCR523UBTL
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
NXP SemiconductorsPDTC143XE,115
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
ROHMDTC143ZUAT106
Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, Single NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
Descriptions
Descriptions de onsemi MUN2216T1G fournies par ses distributeurs.
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
NPN Bipolar Digital Transistor (BRT)
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT;
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
Bipolar Transistors - Pre-Biased SS BR XSTR NPN 50V
Brt Transistor, 50V, 4.7Kohm, Sc-59; Transistor Polarity:Single Npn; Collector Emitter Voltage Max Npn:50V; Collector Emitter Voltage Max Pnp:-; Continuous Collector Current:100Ma; Base Input Resistor R1:-; Base Emitter Resistor R2:-Rohs Compliant: Yes |Onsemi MUN2216T1G
This new series of digital transistors is designed to replace a single device and its external resistor bias network. The BRT (Bias Resistor Transistor) contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors; a series base resistor and a base-emitter resistor. The BRT eliminates these individual components by integrating them into a single device. The use of a BRT can reduce both system cost and board space. The device is housed in the SC-59 package which is designed for low power surface mount applications.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSC
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage50 V
Collector Emitter Saturation Voltage250 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V
Continuous Collector Current100 mA
Current Rating100 mA
Element ConfigurationSingle
hFE Min160
Max Collector Current100 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation338 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
PolarityNPN
Power Dissipation338 mW
Schedule B8541210080
Voltage Rating (DC)50 V
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité