onsemi MPSA29
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Stock
1,259,493
1,159,325
Authorized Distributors
6
6
Mount
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-92
TO-92
Polarity
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
100 V
100 V
Max Collector Current
500 mA
800 mA
Transition Frequency
125 MHz
125 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
1.5 V
1.5 V
hFE Min
10000
10000
Power Dissipation
1.5 W
625 mW
Chaîne d'approvisionnement
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Descriptions
Descriptions de onsemi MPSA29 fournies par ses distributeurs.
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
MPSAXX Series NPN 625 mW 100V 800 mA Through Hole Darlington Transistor TO-92-3
Bipolar Transistors (BJT); MPSA29; ON SEMICONDUCTOR; NPN; 3; 100 V; 500 mA
NPN Bipolar Junction Darlington Transistor
NPN Darlington Transistor This device is designed for applications requiring extremely high current gain at collector currents to 500 mA. Sourced from Process 03. See MPSA28 for characteristics.
TRANSISTOR, NPN, 100V, 0.5A, TO-92-3; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 100V; Transition Frequency ft: 200MHz; Power Dissipation Pd: 1.5W; DC Collector Current: 500mA; DC Current Gain hFE: 10000hFE;
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-92
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight201 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)100 V
Collector Emitter Breakdown Voltage100 V
Collector Emitter Saturation Voltage1.5 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)100 V
Continuous Collector Current500 mA
Current Rating800 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)12 V
Gain Bandwidth Product200 MHz
hFE Min10000
Max Breakdown Voltage100 V
Max Collector Current500 mA
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation625 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingBulk
PolarityNPN
Power Dissipation1.5 W
Schedule B8541210080
Transition Frequency125 MHz
Voltage Rating (DC)100 V
Dimensions
Height5.33 mm
Length4.7 mm
Width3.93 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité