onsemi MOC8204M
$ 0.363
Production
Historique des stocks
Tendance sur 3 mois : -24.97%
Modèles CAO
Télécharger le symbole, l’empreinte et le 3D STEP
Pièces de rechange
0 composant disponible
Modèles CAO
Téléchargez les symboles onsemi MOC8204M, les empreintes et les modèles STEP 3D de nos partenaires de confiance.
| SOURCE | ECAD | MCAD | FICHIERS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SymboleEmpreinte | 3D | Télécharger |
 SnapEDA | Empreinte | Télécharger |
Le site partenaire s’ouvrira dans un nouvel onglet lorsque vous téléchargez ses modèles de CAO.
En téléchargeant des modèles de CAO depuis Octopart, vous acceptez nos conditions générales d’utilisation et notre politique de confidentialité.
Chaîne d'approvisionnement
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.40.80.00
Introduction Date2005-09-27
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Descriptions
Descriptions de onsemi MOC8204M fournies par ses distributeurs.
Optocoupler DC-IN 1-CH Transistor With Base DC-OUT 6-Pin PDIP White Bulk
Avnet Japan
6-pin DIP High Voltage Phototransistor Output Optocoupler
400V 4170V 100mA 0.1V@0.5mA,10mA 1 6V 1.15V DC DIP-6 Optocouplers - Phototransistor Output ROHS
MOC8204 Series 80 V 4170 Vrms Through Hole Phototransistor Optocoupler - DIP-6
OPTOCOUPLER, TRANSISTOR, 4.17KV, DIP-6; No. of Channels: 1 Channel; Optocoupler Case Style: DIP; No. of Pins: 6Pins; Forward Current If Max: 80mA; Isolation Voltage: 4.17kV; CTR Min: 20%; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 400
The 4N38M, H11D1M, H11D3M, and MOC8204M are phototransistor-type optically coupled optoisolators. A gallium arsenide infrared emitting diode is coupled with a high voltage NPN silicon phototransistor. The device is supplied in a standard plastic six-pin dual-in-line package.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Historique des stocks
Tendance sur 3 mois : -24.97%
Modèles CAO
Télécharger le symbole, l’empreinte et le 3D STEP
Pièces de rechange
0 composant disponible
Spécifications techniques
Physical
Case/PackageDIP
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins6
Weight855 mg
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage400 V
Collector Emitter Saturation Voltage400 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)400 mV
Current Transfer Ratio2 %
Dark Current100 nA
Fall Time5 µs
Forward Current80 mA
Forward Voltage1.5 V
Isolation Voltage7500 Vrms
Max Collector Current100 mA
Max Input Current80 mA
Max Operating Temperature100 °C
Max Output Voltage400 V
Max Power Dissipation260 mW
Min Operating Temperature-40 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Output Current per Channel100 mA
Power Dissipation300 mW
Reverse Breakdown Voltage6 V
Reverse Voltage (DC)6 V
Rise Time5 µs
Schedule B8541408000
Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité