onsemi MMBTA28
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Stock
202,835
1,866,122
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Authorized Distributors
6
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
TO-236-3
SOT-23
SOT-23
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
80 V
80 V
80 V
Max Collector Current
800 mA
500 mA
500 mA
Transition Frequency
125 MHz
125 MHz
125 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
1.2 V
1.5 V
1.5 V
hFE Min
10000
10000
10000
Power Dissipation
350 mW
310 mW
310 mW
Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95
Introduction Date1996-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Pièces détachées
PanasonicDSC2C01S0L
Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236AA
PanasonicDSC2C01R0L
Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236AA
ROHM2SC5865TLR
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
ROHM2SC5865TLQ
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Descriptions
Descriptions de onsemi MMBTA28 fournies par ses distributeurs.
MMBTA28 Series 80 V CE Breakdown 0.8 A NPN Darlington Transistor - SSOT-3
NPN Darlington Transistor This device is designed for applications requiring extremely high current gain at collector currents to 500 mA. Sourced from Process 03.
TRANSISTOR, NPN, 80V, 0.8A, SUPERSOT-3; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 80V; Transition Frequency ft: 125MHz; Power Dissipation Pd: 350mW; DC Collector Current: 800mA; DC Current Gain hFE: 10000hF
Transistor; Transistor Type:Darlington; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage, V(br)ceo:80V; Continuous Collector Current, Ic:800mA; Collector Emitter Saturation Voltage, Vce(sat):1.2V; Power Dissipation, Pd:350mW ;RoHS Compliant: Yes
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-236-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight30 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)80 V
Collector Emitter Breakdown Voltage80 V
Collector Emitter Saturation Voltage1.2 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)80 V
Current Rating800 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)12 V
hFE Min10000
Max Breakdown Voltage80 V
Max Collector Current800 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation350 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel
PolarityNPN
Power Dissipation350 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency125 MHz
Voltage Rating (DC)80 V
Dimensions
Height1.02 mm
Length2.51 mm
Width1.4 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité