onsemi MMBTA13

Name: onsemi MMBTA13
Brand: onsemi
SKU: MMBTA13

MMBTA13 Series 30 V CE Breakdown 1.2 A NPN Darlington Transistor - SOT-23

Obsolete

Page du fabricant Fiche technique

Prix et stock

Distributeurs agréés

Distributeurs de solutions de stockage non agréés

Revendeurs non agréés

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Farnell	3	MMBTA13	0	5	Cut Tape		0,101*	0,040*	0,024*	0,023*	21h
element14 APAC	2	MMBTA13	0	5	Cut Tape		0,078*	0,073*	0,051*	0,041*	1d
Win Source		WS-MMBTA13	9 000	1820						0,027	22h
Worldway Electronics		MMBTA13	20 611	7	Tape & Reel		0,010	0,009	0,009	0,009	21h
Chipsmall Limited		MMBTA13	300 000	1		0,062	0,042	0,025	0,021	0,021	4h

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TME

Datasheet4 pagesIl y a 21 ans

IHS

onsemi

Farnell

Fairchild Semiconductor

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Ce composant

Pièces de rechange

onsemiMMBTA13

onsemiMMBTA13LT1G

Price @ 1000

$ 0.042

Stock

405,310

17,542,729

Authorized Distributors

Mount

Surface Mount

Case/Package

SOT-23

SOT-23-3

Polarity

NPN

Collector Emitter Breakdown Voltage

30 V

Max Collector Current

300 mA

Transition Frequency

125 MHz

Collector Emitter Saturation Voltage

1.5 V

hFE Min

5000

10000

Power Dissipation

350 mW

225 mW

Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginPhilippines

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95

Introduction Date1989-01-01

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 days ago)

LTB Date2019-01-26

LTD Date2019-07-26

Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 3 days ago)

Pièces détachées

onsemiMMBTA14

BIPOLAR (BJT) SINGLE TRANSISTOR, DARLINGTON, NPN, 30 V, 125 MHZ, 350 MW, 1.2 A, 20000 ROHS COMPLIANT: YES

Détails

onsemiBCV27

BCV Series NPN 350 mW 30 V 1.2 A SMT Darlington Transistor - SOT-23-3

Détails

Diodes Inc.MMBTA14-7-F

MMBTA14 Series NPN 30 V 300 mW Darlington Transistor Surface Mount - SOT-23-3

Détails

onsemiKST13MTF

Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 1-Element, NPN, Silicon

Détails

Diodes Inc.MMBTA13-7-F

Transistor Darlington NPN 30 Volt 0.3 Amp 3-Pin SOT-23 Tape And Reel

Détails

Diodes Inc.BC848C-7-F

Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 30 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Surface Mount

Détails

Descriptions

Descriptions de onsemi MMBTA13 fournies par ses distributeurs.

MMBTA13 Series 30 V CE Breakdown 1.2 A NPN Darlington Transistor - SOT-23

Future Electronics

Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

Rebound Electronics

Trans Darlington NPN 30V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R

Avnet

TRANSISTOR, DARLINGTON SOT-23; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 30V; Transition Frequency ft: -; Power Dissipation Pd: 350mW; DC Collector Current: 1.2A; DC Current Gain hFE: 5000hFE; Transistor Ca

Farnell

Small Signal Bipolar Transistor; Transistor Polarity:NPN; Power Dissipation, Pd:0.35W; DC Current Gain Min (hfe):10000; Package/Case:SOT-323; C-E Breakdown Voltage:30V; DC Collector Current:1.2A; Leaded Process Compatible:Yes ;RoHS Compliant: Yes

Newark

DARLINGTON TRANSISTOR, SOT-23; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:30V; Power Dissipation Pd:350mW; DC Collector Current:1.2A; DC Current Gain hFE:10000; Transistor Case Style:SOT-23; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Av Current Ic:1.2A; Collector Emitter Voltage Vces:1.5V; Continuous Collector Current Ic Max:300mA; Current Ic Continuous a Max:1.2A; Current Ic hFE:10A; Device Marking:MMBTA13; External Depth:2.5mm; External Length / Height:1.12mm; External Width:3.05mm; Gain Bandwidth ft Min:125MHz; Gain Bandwidth ft Typ:125MHz; Hfe Min:10000; No. of Transistors:1; Package / Case:SOT-23; Power Dissipation Pd:350mW; Power Dissipation Ptot Max:350mW; SMD Marking:1M; Termination Type:SMD; Transistor Type:Darlington; Voltage Vcbo:30V

element14 APAC

Images

Alias du fabricant

onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

MMBTA13.
MMBTA13..

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1 composant disponible

Spécifications techniques

Physical

Case/PackageSOT-23

Contact PlatingTin

MountSurface Mount

Number of Pins3

Number of Terminals3

Weight30 mg

Technical

Collector Base Voltage (VCBO)30 V

Collector Emitter Breakdown Voltage30 V

Collector Emitter Saturation Voltage1.5 V

Collector Emitter Voltage (VCEO)30 V

Current Rating1.2 A

Element ConfigurationSingle

Emitter Base Voltage (VEBO)10 V

hFE Min5000

Max Breakdown Voltage30 V

Max Collector Current300 mA

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation225 mW

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Elements1

PolarityNPN

Power Dissipation350 mW

Transition Frequency125 MHz

Voltage Rating (DC)30 V

Dimensions

Height930 µm

Length2.92 mm

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TME

Datasheet4 pagesIl y a 21 ans

IHS

onsemi

Farnell

Fairchild Semiconductor

Conformité

Classification environnementale

China RoHSCompliant

Lead FreeLead Free

Radiation HardeningNo

REACH SVHCYes

RoHSCompliant

Déclarations de conformité

Rohs Statement3 pagesIl y a 5 ans

Reach Statement3 pagesIl y a 12 ans

Materials Sheet3 pagesIl y a 12 ans

Reach Statement3 pagesIl y a 11 ans

Materials Sheet3 pagesIl y a 11 ans

Reach Statement8 pagesIl y a 11 ans

Rohs Statement1 pageIl y a 13 ans

Rohs Statement1 pageIl y a 14 ans

Reach Statement2 pagesIl y a 13 ans

Rohs StatementN/AN/A