onsemi MMBT6427
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95
Introduction Date1989-01-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 days ago)
LTB Date2019-01-26
LTD Date2019-07-26
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 5 days ago)
Pièces détachées
Diodes Inc.MMBT2222A-7-F
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 40 V, 600 mA, 300 mW, SOT-23, Surface Mount
Diodes Inc.MMBT3904-7-F
Transistor General Purpose BJT NPN 40 Volt 0.2A Automotive 3-Pin SOT-23
Diodes Inc.MMBT4401-13-F
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 40 V, 600 mA, 350 mW, SOT-23, Surface Mount
Descriptions
Descriptions de onsemi MMBT6427 fournies par ses distributeurs.
MMBT Series NPN 350 mW 40 V 1.2 A SMT Darlington Transistor - SOT-23
Small Signal Bipolar Transistor, 1.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
TRANS NPN DARL 40V 0.5A SOT23 / Trans Darlington NPN 40V 1.2A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
MMBT6427,@TRANSISTOR,MMBT6427, 1V,SOT-23 NPN, DL, 40V (10)
NPN Darlington Transistor This device is designed for applications requiring extremely high current gain at collector currents to 1.0 A. Sourced from Process 05. See MPSA14 for characteristics.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOT-23
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight30 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)40 V
Collector Emitter Breakdown Voltage40 V
Collector Emitter Saturation Voltage1.2 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)40 V
Current Rating1.2 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)12 V
hFE Min14000
Max Breakdown Voltage40 V
Max Collector Current1.2 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation225 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingCut Tape
PolarityNPN
Power Dissipation350 mW
Voltage Rating (DC)40 V
Dimensions
Height930 µm
Length2.92 mm
Width1.3 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité