onsemi MMBT3904TT1G
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Production
Prix et stock
Distributeurs agréés
Distributeurs de solutions de stockage non agréés
Revendeurs non agréés
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | MMBT3904TT1G | 204 000 | 3K | 1d | ||||||||
| Future Electronics | MMBT3904TT1G | 63 000 | 3K | Tape & Reel | ||||||||
| Newark | MMBT3904TT1G | 4 670 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Arrow Electronics | MMBT3904TT1G | 1 153 203 | 1 | |||||||||
| Verical | MMBT3904TT1G | 36 000 | 3K |
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1 composant disponible
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| SOURCE | ECAD | MCAD | FICHIERS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SymboleEmpreinte | 3D | Télécharger |
 EE Concierge | SymboleEmpreinte | ||
 SnapEDA | Empreinte | 3D | Télécharger |
 Ultra Librarian | SymboleEmpreinte | Télécharger |
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Pièces de rechange
Ce composant
Pièces de rechange
Price @ 1000
$ 0.039
$ 0.049
$ 0.049
Stock
6,668,967
6,914,336
6,914,336
Authorized Distributors
6
6
6
Mount
-
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOT-416
SOT-523
SOT-523
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
40 V
40 V
40 V
Max Collector Current
200 mA
200 mA
200 mA
Transition Frequency
300 MHz
300 MHz
300 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
300 mV
300 mV
300 mV
hFE Min
30
30
30
Power Dissipation
300 mW
150 mW
150 mW
Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-03-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Pièces détachées
onsemiMMBT2222ATT1G
Bipolar Transistors (BJT); MMBT2222ATT1G; ON SEMICONDUCTOR; NPN; 40 V; 600 mA; 3
onsemiMMBT2222ATT3G
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
onsemiDTC114EET1G
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
ToshibaRN1102,LF(CT
Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, Single NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
NXP Semiconductors2PC4617R,115
Tape & Reel (TR) Surface Mount NPN SINGLE Bipolar (BJT) Transistor 180 @ 1mA 6V 150mA 150mW 100MHz
NXP Semiconductors2PC4617Q,115
Tape & Reel (TR) Surface Mount NPN SINGLE Bipolar (BJT) Transistor 120 @ 1mA 6V 150mA 150mW 100MHz
Descriptions
Descriptions de onsemi MMBT3904TT1G fournies par ses distributeurs.
ON SEMI MMBT3904TT1G NPN BIPOLAR TRANSISTOR, 0.2 A, 40 V, 3-PIN SOT-416
NPN SILICON GENERAL PURPOSE TRANSISTOR Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
200 mA, 40 V NPN Bipolar Junction Transistor
40V 300mW 100@10mA,1V 200mA NPN SOT-416 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R / TRANS NPN 40V 0.2A SOT416
MMBT Series 40 V 200 mA SMT NPN Silicon General Purpose Transistor - SOT-416
These transistors are designed for general purpose amplifier applications. They are housed in the SOT-416/SC-75 package which is designed for low power surface mount applications.
TRANSISTOR, NPN, SC-75; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 40V; Transition Frequency ft: 300MHz; Power Dissipation Pd: 200mW; DC Collector Current: 200mA; DC Current Gain hFE: 300hFE; Transistor Case
Bjt, Npn, 40V, Sc-75 Full Reel; Transistor Polarity:Npn; Collector Emitter Voltage Max:40V; Continuous Collector Current:200Ma; Power Dissipation:300Mw; Transistor Mounting:Surface Mount; No. Of Pins:3Pins; Product Range:- Rohs Compliant: Yes |Onsemi MMBT3904TT1G.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOT-416
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight4.535924 g
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)60 V
Collector Emitter Breakdown Voltage40 V
Collector Emitter Saturation Voltage300 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)40 V
Current Rating200 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
Frequency300 MHz
Gain Bandwidth Product300 MHz
hFE Min30
Max Breakdown Voltage40 V
Max Collector Current200 mA
Max Frequency300 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation150 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
PolarityNPN
Power Dissipation300 mW
Schedule B8541210080
TerminationSMD/SMT
Transition Frequency300 MHz
Voltage Rating (DC)40 V
Dimensions
Height800 µm
Length1.65 mm
Width900 µm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité