onsemi MLD2N06CLT4G
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1996-01-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 2 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 2 days ago)
Pièces détachées
onsemiRFD14N05LSM9A
Tape & Reel (TR) Surface Mount N-Channel Single Mosfet Transistor 14A Tc 14mA 48W 16ns
STMicroelectronicsSTD16NF06T4
STMicroelectronics N-Ch Enhancement MOSFET STripFET Series Vds=60V 16A DPAK (TO-252) SMD 3-Pin
Descriptions
Descriptions de onsemi MLD2N06CLT4G fournies par ses distributeurs.
62 V, 2.0 A 400 mOhm Single N-Channel Power MOSFET with Voltage Clamp
Trans MOSFET N-CH Si 58V Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Tape & Reel (TR) MLD2N06 e3 On/Off power distribution switch 58V 3ns 2A 40W
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 58V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
2 A 58 V 0.4 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET
MOSFET N-CH CLAMPED 2A 62V DPAK
2A, 58V, 0.4OHM, N-CHANNEL POWER MOSFET;
MOSFETs- Power and Small Signal 10V 4.4A
IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 DPAK
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)2 A
Current Rating2 A
Drain to Source Breakdown Voltage62 V
Drain to Source Resistance400 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)62 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time3 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)10 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation40 W
Min Breakdown Voltage58 V
Min Operating Temperature-50 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Number of Outputs1
Output ConfigurationLow Side
Power Dissipation40 W
Resistance400 MΩ
Rise Time3 ns
Turn-Off Delay Time5 µs
Turn-On Delay Time1 µs
Voltage Rating (DC)62 V
Dimensions
Height2.51 mm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Déclarations de conformité