onsemi MJE350STU
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Stock
179,556
1,493,491
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Authorized Distributors
1
6
6
Mount
Through Hole
-
-
Case/Package
TO-126
TO-225
TO-225
Polarity
PNP
PNP
PNP
Collector Emitter Breakdown Voltage
300 V
-
-
Max Collector Current
500 mA
500 mA
500 mA
Transition Frequency
-
-
-
Collector Emitter Saturation Voltage
-
-
-
hFE Min
30
30
30
Power Dissipation
20 W
20 W
20 W
Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1999-01-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 6 days ago)
LTB Date2019-10-12
LTD Date2020-04-12
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 6 days ago)
Pièces détachées
onsemiKSA1156YSTSTU
TRANS PNP 400V 0.5A TO126-3 / Bipolar (BJT) Transistor PNP 400 V 500 mA 1 W Through Hole TO-126-3
Descriptions
Descriptions de onsemi MJE350STU fournies par ses distributeurs.
0.5 A, 300 V PNP Bipolar Power Transistor
100Ã×A 300V 20W 500mA 30@50mA10V PNP +150¡Í@(Tj) TO-126 Bipolar Transistors - BJT ROHS
MJE350 Series 300 V CE Breakdown .5 A PNP Epitaxial Silicon Transistor TO-126
Trans GP BJT PNP 300V 0.5A 3-Pin(3+Tab) TO-126 Rail
PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR Power Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Transistor, BIPOL, PNP, -300V, TO-126-3; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-300V; Transition Frequency ft:-; Power
TRANSISTOR, BIPOL, PNP, -300V, TO-126-3; Transistor Polarity: PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: -300V; Transition Frequency ft: -; Power Dissipation Pd: 20W; DC Collector Current: -500mA; DC Current Gain hFE: 30hFE; Transistor Case Style: TO-126; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: -; SVHC: Lead (27-Jun-2018)
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-126
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight761 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)-300 V
Collector Emitter Breakdown Voltage300 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)300 V
Current Rating-500 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)-5 V
hFE Min30
Max Collector Current500 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation20 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PolarityPNP
Power Dissipation20 W
Schedule B8541290080
Voltage Rating (DC)-300 V
Dimensions
Height11 mm
Length8 mm
Width3.25 mm
Conformité
Classification environnementale
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité