onsemi MJE243G
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1991-06-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Descriptions
Descriptions de onsemi MJE243G fournies par ses distributeurs.
TRANSISTOR, BIPOLAR, SI, NPN, POWER, VCEO 100VDC, IC 4A, PD 15W, TO-225,VCBO 100VDC
4.0 A, 100 V NPN Bipolar Power Transistor
Bipolar Transistors (BJT); MJE243G; ON SEMICONDUCTOR; NPN; 3; 100 V; 4 A
100V 1.5W 40@200mA,1V 4A NPN TO-225 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Bipolar Transistor NPN 100V 4A 40MHz 1.5W Through Hole TO-126
Bipolar (Bjt) Single Transistor, Audio,; |Onsemi MJE243G
MJE Series 100 V 5 A NPN Complementary Silicon Power Plastic Transistor - TO-225
Trans GP BJT NPN 100V 4A 15000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
COMPLEMENTARY SILICON POWER PLASTIC TRANSISTORS Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-225AA, Plastic/Epoxy, 3 Pin
TRANSISTOR, NPN, 100V, 4A, TO-225,; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 100V; Transition Frequency ft: 40MHz; Power Dissipation Pd: 15W; DC Collector Current: 4A; DC Current Gain hFE: 40hFE; Transisto
onsemi NPNTransistor, TO-225encapsulation, Through hole mounting, Maximum DC collector current4 A, maximum collector-emission voltage100 V
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-225
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight4.535924 g
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)100 V
Collector Emitter Breakdown Voltage100 V
Collector Emitter Saturation Voltage600 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)100 V
Current Rating4 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)7 V
Frequency40 MHz
Gain Bandwidth Product40 MHz
hFE Min15
Max Collector Current4 A
Max Frequency40 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.5 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PackagingBulk
PolarityNPN
Schedule B8541290080
Transition Frequency40 MHz
Voltage Rating (DC)100 V
Dimensions
Height11.0998 mm
Length7.7978 mm
Width2.9972 mm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité