onsemi BD681G
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1,872,605
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Authorized Distributors
6
6
6
Mount
-
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-225
SOT-32
SOT-32
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
100 V
100 V
100 V
Max Collector Current
4 A
4 A
4 A
Transition Frequency
-
10 MHz
10 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
2.5 V
2.5 V
2.5 V
hFE Min
750
750
750
Power Dissipation
40 W
40 W
40 W
Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1991-06-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Descriptions
Descriptions de onsemi BD681G fournies par ses distributeurs.
Bipolar (Bjt) Single Transistor, Darlington, Npn, 100 V, 40 W, 4 A, 750 Rohs Compliant: Yes
Medium Power NPN Darlington Bipolar Power Transistor
BD Series 100 V 4 A Medium Power Silicon NPN Darlington Transistor - TO-225AA
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-225AA, Plastic/Epoxy, 3 Pin
ON SEMI BD681G NPN DARLINGTON TRANSISTOR, 4 A 100 V HFE:750, 3-PIN TO-225
Trans Darlington NPN 100V 4A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box / TRANS NPN DARL 100V 4A TO225AA
DARLINGTON TRANSISTOR, TO-225AA; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 100V; Transition Frequency ft: -; Power Dissipation Pd: 40W; DC Collector Current: 4A; DC Current Gain hFE: 750hFE; Transistor Case
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageTO-225
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight4.535924 g
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)100 V
Collector Emitter Breakdown Voltage100 V
Collector Emitter Saturation Voltage2.5 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)100 V
Current Rating4 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
hFE Min750
Max Collector Current4 A
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation40 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingBulk
PolarityNPN
Power Dissipation40 W
Schedule B8541290080
Voltage Rating (DC)100 V
Dimensions
Height13.64 mm
Length7.74 mm
Width2.66 mm
Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité