onsemi MJD50T4G

Name: onsemi MJD50T4G
Brand: onsemi
SKU: MJD50T4G

Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, NPN, 400 V, 1 A, 15 W, TO-252 (DPAK)

$ 0.271

Production

Page du fabricant Fiche technique

Prix et stock

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet		MJD50T4G	47 500	2500						0,234	2d
Newark	3	MJD50T4G	22 913	1	Cut Tape	0,720	0,468	0,320	0,229	0,229
Verical	2	MJD50T4G	817	26				0,266	0,235	0,235
Arrow Electronics	2	MJD50T4G	2 108	1		0,220	0,220	0,220	0,220	0,220
Future Electronics	4	MJD50T4G	5 000	2500	Tape & Reel					0,315

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element14 APAC

Datasheet6 pagesIl y a 11 ans

IHS

Farnell

onsemi

Newark

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Ce composant

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onsemiMJD50T4G

onsemiMJD50G

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$ 0.271

$ 0.437

Stock

3,825,236

70,304

Authorized Distributors

Mount

Case/Package

DPAK

Polarity

NPN

Collector Emitter Breakdown Voltage

400 V

Max Collector Current

1 A

Transition Frequency

10 MHz

Collector Emitter Saturation Voltage

1 V

hFE Min

Power Dissipation

1.56 W

Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date1999-01-01

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

Pièces détachées

onsemiMJD50G

1.0 A, 400 V High Voltage NPN Bipolar Power Transistor

Détails

onsemiKSH50TF

TRANSISTOR,BJT,NPN,400V V(BR)CEO,1A I(C),TO-252

Détails

onsemiMJD50TF

Bipolar (BJT) Transistor NPN 400 V 1 A 10MHz 1.56 W Surface Mount DPAK

Détails

Diodes Inc.MJD340-13

Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 300 V, 500 mA, 15 W, TO-252 (DPAK), Surface Mount

Détails

NXP SemiconductorsBUJD103AD,118

Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 1-Element, NPN

Détails

NXP SemiconductorsBUJD105AD,118

Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 1-Element, NPN

Détails

Descriptions

Descriptions de onsemi MJD50T4G fournies par ses distributeurs.

Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, NPN, 400 V, 1 A, 15 W, TO-252 (DPAK)

Avnet Silica

1.0 A, 400 V High Voltage NPN Bipolar Power Transistor

onsemi

Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin

IHS

Bipolar Transistors (BJT); MJD50T4G; ON SEMICONDUCTOR; NPN; 3; 400 V; 1 A

Maritex

MJD Series 400 V 1 A NPN Surface Mount Power Transistor - TO-252-3

Future Electronics

Trans GP BJT NPN 400V 1A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R / TRANS NPN 400V 1A DPAK

Win Source

400V 1.56W 30@300mA,10V 1A NPN TO-252 Bipolar Transistors - BJT ROHS

Dasenic

TRANSISTOR, NPN, 400V, 1A, TO-252-3; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 400V; Transition Frequency ft: 10MHz; Power Dissipation Pd: 15W; DC Collector Current: 1A; DC Current Gain hFE: 30hFE; Transist

Farnell

TRANSISTOR, NPN, 400V, 1A, TO-252; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage Max:400V; Continuous Collector Current:1A; Power Dissipation:15W; Transistor Mounting:Surface Mount; No. of Pins:3Pins; Transition Frequency:10MHz RoHS Compliant: Yes

Newark

Images

RS (Formerly Allied Electronics)

Alias du fabricant

onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

MJD50T4-G
MJD50T4G.

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Spécifications techniques

Physical

Case/PackageDPAK

Contact PlatingTin

Number of Pins3

Number of Terminals2

Technical

Collector Base Voltage (VCBO)500 V

Collector Emitter Breakdown Voltage400 V

Collector Emitter Saturation Voltage1 V

Collector Emitter Voltage (VCEO)400 V

Current Rating1 A

Element ConfigurationSingle

Emitter Base Voltage (VEBO)5 V

Frequency10 MHz

Gain Bandwidth Product10 MHz

hFE Min10

Max Breakdown Voltage400 V

Max Collector Current1 A

Max Frequency10 MHz

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation15 W

Min Operating Temperature-65 °C

Number of Elements1

PackagingTape and Reel

PolarityNPN

Power Dissipation1.56 W

Schedule B8541290080

Transition Frequency10 MHz

Voltage Rating (DC)400 V

Dimensions

Height2.38 mm

Length6.73 mm

Width6.22 mm

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Datasheet6 pagesIl y a 11 ans

IHS

Farnell

onsemi

Newark

Conformité

Classification environnementale

China RoHSNon-Compliant

Lead FreeLead Free

Radiation HardeningNo

REACH SVHCNo

RoHSCompliant

Déclarations de conformité

Rohs Statement3 pagesIl y a 5 ans

Reach Statement8 pagesIl y a 11 ans

Rohs StatementN/AN/A