onsemi MJD31CT4G
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Price @ 1000
$ 0.259
$ 0.362
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Stock
4,351,424
339,188
339,188
Authorized Distributors
6
6
6
Mount
-
-
-
Case/Package
DPAK
DPAK
DPAK
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
100 V
100 V
100 V
Max Collector Current
3 A
3 A
3 A
Transition Frequency
3 MHz
3 MHz
3 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
1.2 V
1.2 V
1.2 V
hFE Min
10
10
10
Power Dissipation
1.56 W
1.56 W
1.56 W
Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1998-09-25
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Pièces détachées
onsemiNJVMJD31CT4G
TRANS NPN 100V 3A DPAK / Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 3 A 3MHz 1.56 W Surface Mount DPAK
Diodes Inc.ZXT1053AKTC
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 75 V, 5 A, 4 W, TO-252, Surface Mount
Descriptions
Descriptions de onsemi MJD31CT4G fournies par ses distributeurs.
Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, NPN, 100 V, 3 A, 15 W, TO-252 (DPAK)
Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 3 A 3MHz 1.56 W Surface Mount DPAK
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin
Bipolar Transistors (BJT); MJD31CT4G; ON SEMICONDUCTOR; NPN; 3; 100 V; 3 A
3.0 A, 100 V NPN Bipolar Power Transistor
MJD31 Series 100 V 3 A 1.56 W Complementary Power Transistor - DPAK-3
Trans GP BJT NPN 100V 3A 1560mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
General Purpose Transistors NPN Ic=3A Vceo=100V hfe=10~50 P=1.56W DPAK
NPN POWER TRANSISTOR DPAK FOR SURFACE MOUNT APPLICATIONS
Bipolar Transistor, Npn, 40V, Full Reel; Transistor Polarity:Npn; Collector Emitter Voltage Max:100V; Continuous Collector Current:3A; Power Dissipation:15Mw; Transistor Mounting:Surface Mount; No. Of Pins:4Pins; Product Range:- Rohs Compliant: Yes |Onsemi MJD31CT4G.
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageDPAK
Contact PlatingTin
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)100 V
Collector Emitter Breakdown Voltage100 V
Collector Emitter Saturation Voltage1.2 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)100 V
Current Rating3 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency3 MHz
Gain Bandwidth Product3 MHz
hFE Min10
Max Breakdown Voltage100 V
Max Collector Current3 A
Max Frequency3 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation15 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PackagingTape and Reel
PolarityNPN
Power Dissipation1.56 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency3 MHz
Voltage Rating (DC)100 V
Dimensions
Height2.38 mm
Length6.73 mm
Width6.22 mm
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Déclarations de conformité