onsemi MJD122T4G

Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin
$ 0.415
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Pièces de rechange

Ce composant
Pièces de rechange
Price @ 1000
$ 0.415
$ 0.51
$ 0.51
Stock
3,514,349
419,157
419,157
Authorized Distributors
6
6
6
Mount
-
-
-
Case/Package
DPAK
DPAK
DPAK
Polarity
NPN
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
100 V
100 V
100 V
Max Collector Current
8 A
8 A
8 A
Transition Frequency
4 MHz
4 MHz
4 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
2 V
4 V
4 V
hFE Min
100
100
100
Power Dissipation
20 W
1.75 W
1.75 W

Chaîne d'approvisionnement

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1991-06-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

Pièces détachées

onsemiMJD122G
Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin
onsemiKSH127TF
KSH Series PNP 1.75 W 100 V 8 A SMT Silicon Darlington Transistor - TO-252-3
onsemiKSH122TF
KSH Series NPN 1.75 W 100 V 8 A SMT Epitaxial Silicon Transistor - TO-252-3

Descriptions

Descriptions de onsemi MJD122T4G fournies par ses distributeurs.

Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin
8.0 A, 100 V NPN Darlington Bipolar Power Transistor
Bipolar Transistors (BJT); MJD122T4G; ON SEMICONDUCTOR; NPN; 3; 100 V; 8 A
MJD Series 100 V 8 A NPN Complementary Darlington Power Transistor - TO-252-3
ON SEMI MJD122T4G NPN DARLINGTON TRANSISTOR, 8 A 100 V HFE:100, 3-PIN DPAK
Trans Darlington NPN 100 Volt 8A 3-Pin (2+Tab) DPAK Tape and Reel
DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, 100V, D-PAK, FULL REEL
DARLINGTON TRANSISTOR, NPN, 100V, D-PAK, FULL REEL; Transistor Polarity:NPN; No. of Pins:3Pins; Transistor Mounting:Surface Mount; Operating Temperature Max:150°C; Product Range:-; Qualification:-; Collector Emitter Voltage Max:100V RoHS Compliant: Yes
Transistor Polarity = NPN / Configuration = Single / Continuous Collector Current (Ic) A = 8 / Collector-Emitter Voltage (Vceo) V = 100 / DC Current Gain (hFE) = 1000 / Collector-Base Voltage (Vcbo) V = 100 / Emitter-Base Voltage (Vebo) V = 5 / Operating Temperature Min. °C = -65 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Transit Frequency MHz = 4 / Power Dissipation (Pd) W = 20 / Package Type = DPAK / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Collector Emitter Saturation Voltage Max. (Vce(sat)) V = 4 / Base Emitter Saturation Voltage Max. (Vbe(sat)) V = 4.5 / Reflow Temperature Max. °C = 260

Alias du fabricant

onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :

  • ON Semiconductor
  • ONS
  • ONSEMICON
  • ON SEM
  • ON SEMICONDUCTO
  • ON SEMICONDUCTORS
  • ONSEMIC
  • ON Semicondu
  • OSC
  • ONSE
  • ON SEMICOND
  • ON Semiconductor / Fairchild
  • SCG
  • ON Semiconductor Cor
  • ON SEMICO
  • ONSM
  • ON SEMICONDUCTOR CORP
  • onsemi / Fairchild
  • MOT/ON SEMI
  • Fairchild/ONSemiconductor
  • ON Semiconductor Corporation
  • ON4
  • ON Semi - ON Semiconductor
  • ON SEMICONDUCT
  • ON-SEMI SCG
  • ON Semiconductor Inc.
  • onsemiconductor
  • On Semiconductor Ltd

Alias de numéro de pièce

Ce composant peut être référencé sous ces autres numéros :

  • MJD122T4G.