onsemi MCH6661-TL-W
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Obsolete
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Chaîne d'approvisionnement
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-12-21
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 6 days ago)
LTB Date2021-07-05
LTD Date2022-07-05
Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 6 days ago)
Pièces détachées
InfineonBSD316SNH6327XTSA1
BSD316 Series 30V 1.4A 500mW 160mOhm Single N-Channel MOSFET SOT363-6
Diodes Inc.DMN3190LDW-13
MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363 / Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 1A 320mW Surface Mount SOT-363
VishaySI1539CDL-T1-GE3
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 30 V, 30 V, 700 mA, 700 mA, 0.323 ohm
Descriptions
Descriptions de onsemi MCH6661-TL-W fournies par ses distributeurs.
MCH6661-TL-W DUAL N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 1.8 A, 30 V, 6-PIN SOT-363
ON SEMICONDUCTOR MCH6661-TL-WDual MOSFET, Dual N Channel, 1.8 A, 30 V, 0.145 ohm, 10 V, 2.6 V
MCH6661 Series 30 V 188 mOhm SMT Dual N-Channel Power Mosfet - SOT-363
Dual N-Channel Power MOSFET, 30V, 1.8A, 188mΩ
NCH 1.7A 30V SOT-363; Transistor Polarity: Dual N Channel; Continuous Drain Current Id: 1.8A; Drain Source Voltage Vds: 30V; On Resistance Rds(on): 0.145ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 2.6V; Power D
Alias du fabricant
onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Pièces de rechange
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Spécifications techniques
Physical
Case/PackageSOT-363
MountSurface Mount
Number of Pins6
Weight7.512624 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)1.8 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationDual
Fall Time4 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance88 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation800 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements2
Power Dissipation800 mW
Rds On Max188 mΩ
Rise Time3.6 ns
Schedule B8541210080
Threshold Voltage2.6 V
Turn-Off Delay Time10.5 ns
Turn-On Delay Time3.4 ns
Dimensions
Height850 µm
Length2 mm
Width1.6 mm
Fiches techniques et documents
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Conformité
Classification environnementale
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Déclarations de conformité