onsemi ISL9N322AP3

Name: onsemi ISL9N322AP3
Brand: onsemi
SKU: ISL9N322AP3

Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 30V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,...

$ 0.23

Obsolete

Fiche technique

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Verical	2	ISL9N322AP3	72 000	1304						0,257
Rochester Electronics		ISL9N322AP3	156 653					0,277	0,230	0,205	8h
Win Source		WS-ISL9N322AP3	12 800	145					0,300	0,269	9h
Worldway Electronics		ISL9N322AP3	14 125	7	Bulk		0,064	0,062	0,058	0,058	8h
Bettlink		ISL9N322AP3	26 250			0,500	0,370	0,322	0,301	0,270	6h

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IHS

Datasheet11 pagesIl y a 24 ans

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Chaîne d'approvisionnement

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2001-05-31

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2006-10-05

LTD Date2007-04-05

Pièces détachées

onsemiHUFA75307P3

MOSFET N-CH 55V 15A TO-220AB

Détails

onsemiHUFA75309P3

PWR MOS ULTRAFET 55V/19A/0.070HMS N-CHANNEL TO-220AB

Détails

InfineonIRF530NPBF

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 90Milliohms;ID 17A;TO-220AB;PD 70W;gFS 12S

Détails

onsemiNTP18N06LG

Tube Through Hole N-Channel Single Mosfet Transistor 15A Tc 15A 48.4W 42ns

Détails

onsemiRFP14N05L

PWR MOS 50V/14A/0.100 OHM N-CH LOGIC-LVL TO-220AB

Détails

Descriptions

Descriptions de onsemi ISL9N322AP3 fournies par ses distributeurs.

Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 30V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

IHS

N-Channel Logic Level PWM Optimized UltraFET Trench Power MOSFETs

Avnet

Not available to order N-Ch PWM Optimized Logic Level

Mouser

N-CHANNEL POWER MOSFET

SHENGYU ELECTRONICS

MISCELLANEOUS MOSFETS;

Farnell

Images

Augswan

Rochester Electronics

Alias du fabricant

onsemi possède plusieurs marques à travers le monde que les distributeurs peuvent utiliser comme noms alternatifs. onsemi peut également être connu sous les noms suivants :

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

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Spécifications techniques

Physical

Case/PackageTO-220AB

Number of Terminals3

Technical

Continuous Drain Current (ID)35 A

Drain to Source Breakdown Voltage30 V

Drain to Source Resistance22 mΩ

Element ConfigurationSingle

Fall Time27 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)20 V

Max Operating Temperature175 °C

Max Power Dissipation50 W

Min Breakdown Voltage30 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Elements1

Power Dissipation50 W

Rise Time29 ns

Turn-Off Delay Time45 ns

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IHS

Datasheet11 pagesIl y a 24 ans

Conformité

Classification environnementale

RoHSCompliant

Déclarations de conformité

Reach Statement8 pagesIl y a 11 ans

Rohs Statement1 pageIl y a 12 ans

Rohs Statement1 pageIl y a 14 ans

Reach Statement2 pagesIl y a 13 ans